Основной вклад - даюта
Cтраница 1
Основной вклад дают переходы 1 и 2 ( см. рис. 1.9), связанные с возбуждением электронов связи С-F и неподеленной пары электронов фтора. [1]
Поскольку в этом случае основной вклад дают удары на больших расстояниях, теория достаточно хорошо согласуется с экспериментом. [2]
 |
Функция plj ( k. [3] |
При больших т в обоих интегралах основной вклад дают 9 близкие к единице. [4]
Анализ выполненных проектов магистральных газопроводов показывает, что основной вклад дают затраты в транспорт газа, причем с ростом дальности транспорта и ухудшением природно-климатических условий затраты растут быстрее, чем увеличивается протяженность газопровода. Поэтому и возникает проблема компенсаций за счет НТП отрицательного влияния указанных факторов. [5]
В (8.1.29) сумма берется также по всем траекториям, начинающимся и оканчивающимся в точке д, но, как и прежде, основной вклад дают периодические орбиты. [6]
Вклад несекулярных членов на частотах со0 и 2со0 в выражениях для 1 / Т2 и 1 / Тц, обычно мал, а основные вклады дают секулярные члены на частотах, близких к нулю. [7]
В последнем преобразовании мы в общей энергии выделили собственную энергию т ( с0, что оказывается очень удобным при исследовании движения при сравнительно малых скоростях, когда основной вклад дают нерелятивистские члены. [8]
Интеграл расходится по закону х -: основной вклад дают ближайшие галактики в выборке. Эта составляющая внегалактического свечения ночного неба, по-видимому, не представляет интереса, поскольку ее трудно отделить от белого шума, вносимого звездами. [9]
W-C при С10 - 5 моль / л), вызывает серьезные возражения. При переходе от модельной задачи взаимодействия двух молекул к взаимодействиям в среде считается, что основной вклад дают молекулы примеси, находящиеся на среднем расстоянии от возбужденной молекулы растворителя. Однако в связи с зависимостью вероятности переноса энергии от расстояния W - / Rn вклад от ближних и дальних молекул примеси будет существенно разным. При малых концентрациях примеси вероятность переноса пропорциональна первой степени концентрации. [10]
Если фазы атома металла корректны только для тех отражений, чьи интенсивности определяются исключительно рассеянием на атоме металла, рассчитанная фурье-карта будет показывать атом металла и ничего более, и расчет оказывается неудачным. Это необычный результат, но следует хорошо представлять себе, что при определении карты электронной плотности в описанной процедуре основной вклад дают наибольшие F0; для корректности фаз важнее всего те F0, в которые дают большие вклады легкие атомы структуры. Если для расчета карты используются лишь те отражения, для которых Fcalc ( металл) & 0 3Fobs, то, вероятно, на карте будут видны плотности более легких атомов. [11]
Выражение (8.7) дает восприимчивость совокупности свободных зарядов. Такой вид имеет восприимчивость плазмы, а для больших энергий фотонов все заряды ведут себя как свободные, если можно пренебречь энергией связи. Практически, конечно, основной вклад дают электроны, так как массы ядер ms велики. [12]
Заменив в этой формуле ускорение на силу, деленную на массу, v F / M, получим, что интенсивность тормозного излучения при кулоновском столкновении частицы с заряженным центром обратно пропорциональна квадрату массы частицы и прямо пропорциональна квадрату заряда рассеивающего центра. Отсюда прежде всего следует, что если радиационные потери и важны, то только для электронов, но не для тяжелых частиц. Далее, если в ионизационные потери основной вклад дают столкновения налетающей частицы с атомными электронами, то радиационные потери, наоборот, обусловлены столкновениями с ядрами. Действительно, излучение при столкновении с ядром в Z2 больше, чем при столкновении с электроном, а число электронов лишь в Z раз больше, чем ядер. [13]
Если кривая поглощения ( точнее, фактор формы) симметрична относительно этой частоты VQ, то очевидно, что все нечетные моменты ( включая первый, м1) будут равны нулю, так что необходимо учитывать лишь четные моменты. В принципе эти моменты дают косвенную информацию о форме линии, которая тем точнее, чем большее число моментов известно. Эти моменты можно вычислить и без точной диагонализации полной матрицы, соответствующей выражению (9.44), однако вычисления момен - ТОБ высших порядков слишком трудоемки. Практически легко находится только второй момент ( Av2), а четвертый момент ( Av4) вычислен лишь в нескольких специальных случаях. Это не составляет серьезного затруднения при сравнении с экспериментом, так как моменты высших порядков определяются по измеренной кривой поглощения очень неточно, ибо основной вклад дают далекие крылья, где поглощение мало и его трудно измерить. Теоретические же расчеты можно проводить только тогда, когда известна зависимость взаимодействия от расстояния; это условие выполняется в кристаллах с известной структурой, если мы имеем дело только с магнитными дипольными взаимодействиями, однако оно редко выполняется, если возможно обменное и другие виды взаимодействия. [14]
Кулоновский интеграл по-прежнему может быть истолкован квази-классически как взаимодействие двух размазанных атомов. Чтобы оценить интегралы и определить их знаки, рассмотрим сначала предел больших расстояний между ядрами о - Ь - ос. Тогда обменная плотность заряда равна нулю, поскольку одночастичные волновые функции не перекрываются. При этом также гг - Ь - ос и оба интеграла С я А стремятся к нулю. На средних расстояниях о - Ь порядка радиуса каждого из атомов возникает существенное перекрытие волновых функций, поэтому обменная плотность заряда не мала. Основной вклад дают области обменного заряда вблизи ядер, что приводит к большим отрицательным вкладам в А, в то время как отталкивание электронных плотностей и ядер между собой дает положительный вклад, меньший по абсолютной величине. Из аналогичных рассуждений можно вывести, что вклад С для промежуточных расстояний имеет меньшую абсолютную величину, чем А. Eg О, и имеет место отталкивание. Из сказанного можно заключить, что имеется некоторое равновесное положение ядер, на котором обменное притяжение уравновешивает кулоновское отталкивание ядер. [15]
Страницы: 1