Cтраница 2
Углы Ф и ср являются полярным и азимутальным углами, составляемыми падающим неполяризованным излучением относительно поля, вызывающего расщепление ядерных уровней. [16]
В случае твердотельных и полупроводниковых лазеров наблюдалось как поляризованное, так и неполяризованное излучение. В рубиновых лазерах с ориентацией стержней под углом 0 ( ось С совпадает с осью стержня) излучение оказалось неполяризованным, тогда как при ориентации 60 и 90 оно было полностью линейно-поляризованным. [17]
![]() |
Распределение двулучепре-ломлеиия по сечению стержней ( О - 0 15 мм, X - 010 мм, г - радиус стержня к моменту окончания импульса накачки. [18] |
Эти потери в широком диапазоне накачек могут быть до 50 % энергии неполяризованного излучения. Такие же потери излучения при помещении поляризатора в резонатор наблюдаются в случае применения спиральной импульсной лампы. [19]
Результаты этих работ показывают, что описанный выше микромонокристалышй метод при использовании неполяризованного излучения позволяет количественно определять одну, реже две, компоненты тензора нелинейной восприимчивости и прослеживать их зависимость от температуры. Применение неполяризованного излучения в случае разбитого на крупные домены кристалла имеет преимущество перед использованием поляризованного излучения, так как при этом не требуется знание кристаллографической ориентации того монодоменного участка кристалла, в котором возбуждается вторая гармоника. [20]
Так как эллипсоид интенсивности обладает вращательной симметрией, то В должно быть таким же для неполяризованного излучения. [21]
Это задача Милна, соответствующая отсутствию внутренних источников на конечных глубинах, и задача с равномерным распределением источников неполяризованного излучения в полу бесконечной среде. [22]
Если наклон образца или срез практически невыполнимы, то все еще остается возможность получить информацию о плоской ориентации путем использования неполяризованного излучения нормально к плоскости пленки. При совершенной плоскостной ориентации образца, когда все оси с молекул лежат в плоскости ху, каждый отдельный момент перехода дает очень сильное поглощение, так как электрический вектор излучения тоже параллелен этой плоскости. Следует ожидать более низкой интенсивности поглощения для случайно ориентированного образца такой же толщины, так как, например, цепи с параллельным оси z моментом перехода не поглощают совсем. [23]
Если наклон образца или срез практически невыполнимы, то все еще остается возможность получить информацию о плоской ориентации путем использования неполяризованного излучения нормально к плоскости пленки. При совершенной плоскостной ориентации образца, когда все оси с молекул лежат в плоскости ху, каждый отдельный момент перехода дает очень сильное поглощение, так как электрический вектор излучения тоже параллелен этой плоскости. Следует ожидать более низкой интенсивности поглощения для случайно ориентированного образца такой же толщины, так как, например, цепи с параллельным оси г моментом перехода не поглощают совсем. [24]
![]() |
Зависимость длины волны от внешней доли излучения черного тела. [25] |
Пусть а ( 0, ф, X, Ts) означает спектральную направленную поглощательную способность поверхности при температуре Ts для неполяризованного излучения. Пусть 8 ( 0, ф, X, Ts) означает спектральную направленную степень черноты. [26]
Но если пластинка очень толста и добавочная разность хода Д больше длины когерентности стког, то фазы прошедших колебаний уже не скоррелированы и из пластинки выйдет неполяризованное излучение. Вырезанная таким образом кристаллическая пластинка не может превратить неполяризованный свет в свет какой-либо определенной поляризации, так как в этом случае фазы двух исходных ноли не были скоррелированы, а определенная добавка к разности фаз ничего изменить не может. [27]
Исследованиями генерации в такой осветительной системе установлена сильная зависимость поляризации выходного ивлучения от взаимной ориентации главной плоскости поляризатора и плоскости ламп: при угле 6 45 степень поляризации снижается до 0 5, тогда как при углах 6, равных 0 и 90, она близка к единице, а энергия в этих случаях лишь незначительно ( не более чем на 5 - 7 %) отличается от энергии неполяризованного излучения при отсутствии поляризатора в резонаторе. [29]
Результаты этих работ показывают, что описанный выше микромонокристалышй метод при использовании неполяризованного излучения позволяет количественно определять одну, реже две, компоненты тензора нелинейной восприимчивости и прослеживать их зависимость от температуры. Применение неполяризованного излучения в случае разбитого на крупные домены кристалла имеет преимущество перед использованием поляризованного излучения, так как при этом не требуется знание кристаллографической ориентации того монодоменного участка кристалла, в котором возбуждается вторая гармоника. [30]