Cтраница 2
Поглощение молекулой одного кванта видимого или утрафиолетового излучения вызывает переход электрона с одного энергетического уровня на другой, более высокий уровень. Для области спектра с длинами волн 2000 - 7000 А эти переходы почти полностью относятся к я-электронам сопряженных систем. Поглощение более жесткого излучения с длинами волн меньше 2000 А происходит за счет ст-связей и я-электронов несопряженных двойных связей. Таким образом, видно, что анализ и идентификация полимеров по ультрафиолетовым спектрам поглощения связаны с определенными существенными ограничениями. Обычные приборы не подходят для измерений в дальней ультрафиолетовой области; поэтому только полимеры с довольно высоким содержанием сопряженных систем дадут характерные спектры поглощения. [16]
Хотя приборы с источниками р-частиц используются довольно широко, как было отмечено выше, их применение в случае плотных материалов с большой толщиной весьма ограничено. Предельная толщина слоя стали, который может быть измерен таким способом, составляет всего около 1 2 мм. Для измерения больших толщин необходимо использовать более жесткие излучения. Применяются как рентгеновские лучи, получаемые с помощью генератора высокого напряжения и рентгеновской трубки, так и улучи искусственных радиоизотопов. [17]
Причем, на долю первых волн в спектре лемпы ПРК-2 приходится 0 07 а на долю вторых - 0 1 энергии. Ширина запрещенной зоны в [ AIOJ-тетраэдрах составляет, вероятно, величину, не меньшую 7 3 зв характерную для гамма-окиси алюминия. Поэтому возбуждение JAIOJ - тетраэдров мокет производиться более жестким излучением однако возможно что и в поле УФС происходит образовение некоторого количества коротконивущих возбужденных ГАЮ Л - тетраэдров, что повышает активность катализаторов и способствует также возрастанию выхода ИПБ в реакции алкилирования. [18]
Модулятор 2 представляет собой механический или магнитный прерыватель радиоактивного излучения. В простом случае это обтюратор, приоткрывающий радиоактивный изотоп на короткие промежутки времени. В некоторых случаях ( в основном при работе с более жесткими излучениями) удобно делать диафрагму неподвижной, а перемещать изотоп. [19]
Сначала были получены кривые поглощения для того случая, когда ионизационная камера электроскопа была наполнена воздухом. Эти условия благоприятствуют изучению сильно поглощаемых излучений, которые полностью задерживаются внутри камеры. Ток при этом увеличивается примерно двое, так как в этом случае полнее используются более жесткие излучения, которые, таким образом, могут быть в свою очередь исследованы. [20]
Сначала изучается поглощение в железе и никеле того излучения, которое, но нашему предположению, должно быть AT-излучением меди с дли-пой волны, лежащей между границами АГ-ноглощения железа и никеля. При одинаковых поверхностных плотностях железо должно было поглощать гораздо сильнее, чем никель. Именно это и подтвердилось па опыте. Кроме того, по мере увеличения масс железного и никелевого поглотителей АТ-излучение меди поглощается все болы не и больше, и различие и поглощении обоих экранов уменьшается. Этот последний факт указывает на наличие некоторого более жесткого излучения. [21]
Люминесценция возникает в некоторых диэлектриках и полупроводниках в виде вторичного излучения света с частотой, меньшей, чем частота облучающего света. Фотолюминесценция обусловлена наличием в диэлектрике примесных центров, поглощающих фотоны падающего света с частотой v, которые возбуждают в диэлектрике нестационарные электронные состояния. Затем происходят релаксация этих состояний и испускание квантов вторичного света на частоте v O. Например, кристалл или полимер, поглощающий высокочастотное ( невидимое) ультрафиолетовое излучение, может испускать вследствие этого свет в видимом диапазоне. Когда вторичное излучение происходит непосредственно во время облучения диэлектрика более жестким излучением, описанное явление называется флуоресценцией. Если же вторичное излучение происходит со значительной временной задержкой, то эффект называется фосфоресценцией. Оба эти эффекта используются в технике. [22]
Нет оснований предполагать, что потребность в подобных источниках для других целей может быть больше. Одна из причин заключается в том, что толщины основных листовых материалов укладываются в ту область толщин, где измерения можно производить с помощью ( 3-излучателей. К тому же мягкая компонента рентгеновского излучения быстро поглощается. Поэтому часто невозможно, не сделав тонкого окна в контейнере, определить плотность материалов в трубах или в других контейнерах, для которых широкое применение нашли жесткие у-излучатели. В этом отношении грубым ориентиром для использования источников тормозного излучения является следующее: если при измерениях поглощения скорость счета уменьшилась более чем в 20 раз, то необходимо применять источники с более жестким излучением. [23]
Если известны изменения тока и напряжения, в принципе можно рассчитать спектр тормозного излучения как наложение спектров излучения, возникающих в отдельные моменты. При прямоугольном изменении напряжения в трубках с автоэлектронной эмиссией спектр тормозного излучения не должен отличаться от спектра излучения, образующегося при работе трубки в стационарном режиме. Это подтверждают соответствующие измерения, выполненные по методу поглощения фильтрами. При использовании пробоя в вакууме на спектр, соответствующий максимальному напряжению, при спаде напряжения накладываются более мягкие спектры излучения, спектр расширяется и появляются длинноволновые компоненты. Как указывалось выше, в исключительных случаях при плазменном разряде могут встречаться электроны, скорость которых выше скорости, соответствующей напряжению на конденсаторе. В этих случаях действительно наблюдается более жесткое излучение. [24]
Возможность выявления внутренних дефектов ( раковин, рыхлоты, шлаковых включений) обусловлена тем, что коэффициент поглощения ( ослабления интенсивности) рентгеновского излучения дефектом и основным материалом различен. Поэтому при просвечивании изделия дефект проектируется на пленке ( экране) и дает свое плоскостное изображение. Очевидно, возможность выявления и контрастность изображения дефекта существенно зависят от характера дефекта и его размеров, материала и толщины просвечиваемой детали. Он тем меньше, чем менее плотен материал. При необходимости контроля деталей больших толщин нужно применять соответственно более жесткое излучение. [25]
Но следует принять во внимание и следующее. Существует движение зарядоносителей и в атмосфере. Особенно сильно оно в верхних слоях атмосферы, в частности в ее ионизационных слоях. Магнитные поля, созданные этими токами, накладываются на магнитные поля вихревых токов массы Земли, в результате чего в атмосфере, во всех ее слоях, существует суммарное единое магнитное поле, в котором возникла жизнь, а затем и человек. Напряженность магнитного поля на поверхности Земли в целом невелика. Но напряженность непостоянна: она колеблется по суткам, месяцам, годам. Происходят резкие увеличения напряженности. Причина их - спорадические явления, возникающие на Солнце и сопровождающиеся изменением солнечной активности. При этих явлениях от Солнца к Земле устремляются потоки ультрафиолетовой рентгеновской радиации, радиации более жесткого излучения и потоки корпускулярного излучения. Взаимодействие их с элементарными частицами в верхних слоях атмосферы приводит к резкому увеличению потоков зарядоносителей, магнитные поля которых вызывают увеличение магнитного поля Земли, называемое магнитной бурей. [26]