Стабилизация - режим - работа - транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Жизнь похожа на собачью упряжку. Если вы не вожак, картина никогда не меняется. Законы Мерфи (еще...)

Стабилизация - режим - работа - транзистор

Cтраница 2


Обязательным условием обеспечения постоянства коэффициента усиления каскада в широком диапазоне температур является стабилизация режима работы транзистора. Однако выполнения только этого условия не достаточно вследствие сильной непосредственной зависимости параметров транзистора от температуры. Для примера сначала оценим изменение коэффициента усиления при изменении тока (3.47), а затем только при изменении параметров транзистора.  [16]

Рефлексные приемники наладить труднее, чем обычные, нерефлексные, в том случае, если не приняты специальные меры по стабилизации режима работы транзисторов. Дело в том, что транзисторы даже одного и того же типа могут отличаться друг от друга своими параметрами. Кроме того, параметры транзисторов могут сильно изменяться при колебаниях температуры окружающей среды. Применение стабилизирующих элементов несколько увеличивает количество деталей, ко зато делает приемник малочувствительным к смене транзисторов и колебаниям температуры.  [17]

Например, если / Кмакс1 а, а [ / доп1 в, то, используя ф-лу (5.50) и полагая q / kT40 1 / в, найдем, что стабилизация эффективна, если / кн - 0 125 а. При уменьшении / кн стабилизация режима работы транзистора в схеме рис. 5.7 может оказаться недостаточной. Это объясняется тем, что резистор Кэ, сопротивление которого определяет глубину отрицательной обратной связи, включен в выходную цепь каскада. Его сопротивление нельзя сильно увеличить без значительного снижения выходной мощности усилителя.  [18]

На рис. 2.9 приведена схема стабилизации режима работы транзистора с отрицательной обратной связью по постоянному току, которая широко используется на практике.  [19]

Постоянное напряжение на базе регулируемых транзисторов ( в отсутствие сигнала с большим уровнем на входе радиоприемника) устанавливается соотношением сопротивлений в базовых делителях. Это соотношение выбрано не только для стабилизации режима работы регулируемых транзисторов, но и для обеспечения достаточной эффективности АРУ.  [20]

При такой связи ослабляется влияние входа и выхода транзисторов на колебательный контур. Используется стабилизация режима работы транзисторов методом эмиттерной стабилизации, подробно расмотренным в § 3.2. Плавная настройка колебательного контура осуществляется конденсатором переменной емкости С.  [21]

Транзисторные усилители уступают ламповым в отношении стабильности работы. Это объясняется сложностью технологического процесса изготовления транзисторов, в связи с чем имеет место разброс параметров среди транзисторов даже одного и того же типа, а также сильной зависимостью параметров транзисторов от температуры. Поэтому в усилительных схемах необходимо принимать меры для стабилизации режима работы транзисторов.  [22]

Ухудшением эффективности действия схемы стабилизации режима работы, что обусловлено уменьшением стабильности потенциала базы транзистора. В результате того, что при малых коллекторных токах уменьшается входная проводимость транзистора, для устранения влияния цепи смещения на показатели усилителя приходится увеличивать ее приведенное сопротивление и базовый делитель становится высокоомным. При этом фиксация потенциала базы ухудшается и эффективность стабилизации режима работы транзистора падает.  [23]

Достоинство потому, что он содержит относительно небольшое количество недорогих и распространенных деталей, мало катушек. Недостаток в том, что он имеет один обзорный диапазон, не очень высокую чувствительность и избирательность. Кроме того, стабилизация режимов работы транзисторов по схеме трех резисторов хотя и устраняет влияние разброса параметров и изменения температуры на работу приемника, но не позволяет сохранить работоспособность приемника при снижении питания ниже 5 - 6 в. От всех указанных недостатков в значительной степени свободен более сложный переносный супергетеродин, описание которого приводится в следующей главе.  [24]

Чтобы расширить амплитудную характеристику усилителя на транзисторах, и в первую очередь его предоко-нечных каскадов, нужно повысить напряжение источника питания. За счет подзарядки емкости С6 напряжение в этой точке относительно заземленного провода при номинальной мощности превышает напряжение источника питания. Одновременно благодаря соединению резистора Я6 с сопротивлением нагрузки в цепь базы транзистора Т2 вводится отрицательная обратная связь, что снижает нелинейные искажения. Стабилизация режима работы транзисторов оконечного каскада по постоянному току ( вместе с транзисторами предокОНечного каскада) осуществляется с помощью делителя напряжения Ri iRn, где диод Д также улучшает температурную стабилизацию тока покоя транзисторов оконечного каскада.  [25]

Схема переключателя одного канала показана на рис. П-29, б, Переключатель состоит из клапана и транзисторного ключа. Ключ выполнен на транзисторах Т z и Т3 типа П106, включенных по схеме-с общим коллектором. Клапан состоит из модулятора, усилителя и диодного детектора. Модулированное напряжение несущей частоты усиливается транзистором 7 и с выхода обмотки Wz трансформатора Тр поступает через детектор ( Дг, Се) на вход ключа. Для стабилизации режима работы транзистора Т в его эмиттерной цепи включено сопротивление - R3 создающее отрицательную обратную связь. Клапаны управляются дешифраторами Дш и Дш2, выполненными в виде диодных матриц.  [26]

В транзисторной усилительной технике широко используются схемы с непосредственной связью между каскадами. Отличительной особенностью их является сравнительная простота и небольшое количество деталей, используемых для стабилизации рабочей точки. Кроме того, в усилителях с непосредственной связью можно значительно улучшить частотные характеристики в области низких частот. Однако отсутствие в схеме разделительных конденсаторов создает опасность воздействия изменения коллекторного тока транзистора первого каскада на все последующие. Поэтому в усилителях предъявляются особые требования к стабилизации режима работы транзисторов.  [27]



Страницы:      1    2