Cтраница 1
Зависимость ЭДС Холла g от магнитной. [1] |
Небольшая анизотропия, не зависящая от В, обусловлена иесферичностью ПФ. [2]
Небольшая анизотропия электросопротивления магния связана с кристаллической ориентацией. [3]
Зависимость электрического сопротивления углеродистых. [4] |
Небольшая анизотропия удельного электрического сопротивления искусственных графитов ( 1 2 - 1 4) объясняется преимущественной ориентацией анизометричных частиц кокса-наполнителя в процессе формования смеси связующего и наполнителя. [5]
При очень небольшой анизотропии толщина границы 8U, сравнительно велика, поэтому локальные колебания энергии почти полностью усредняются в пределах объема, занимаемого границей. [6]
Зависимость диэлектри-неской проницаемости ( о и фактора диэлектрических потерь ( б политрифторэтилена при 293 К от частоты. [7] |
Следовательно, из-за небольшой анизотропии электронной поляризуемости мономерных звеньев основной вклад в анизотропию е вносит анизотропия дипольной поляризации. Знак анизотропии диэлектрической проницаемости у поливинилхлорида и полиметилметакрилата совпадает со знаком анизотропии фактора диэлектрических потерь. [8]
Сантонин дает прямоугольные квадратные призмы с небольшой анизотропией или восьмигранные призмы. Добавление капли воды с ничтожным количеством йодистого водорода вызывает образование прямоугольных сильно анизотропных пластинок, обладающих дихроизмом, бесцветных или окрашенных от промежуточного светлофиоле-тового до коричневого цвета. [9]
Будем считать потенциал взаимодействия чисто отталкивательным экспоненциальным с небольшой анизотропией. [10]
Если В собственной системе отсчета источника излучение происходит изотропно или с небольшой анизотропией, то в системе приемника из-за А. Такие движения происходят, напр. [11]
Расчетные значения aj / alp, вычисленные по различным критериям прочности ( пластичности для анизотропных материалов, и их отклонения от экспериментальных данных. [12] |
Поскольку трубчатые образцы из ПТФЭ, полученные методом экструзии, обладали сравнительно небольшой анизотропией ( в пределах 7 %), были также проведены расчеты по критериям, предложенным для изотропных материалов. [13]
Недостатками оргстекла являются некоторая ползучесть, заметная при высоких напряжениях, и небольшая анизотропия листового оргстекла. Как видно из графика ( фиг. [14]
Плотность вихревых термоэлектрических токов в однородной анизотропной среде может достигать больших значений - до 2 4 А / сма - при градиенте температур 50 К / см для такого материала с относительно небольшой анизотропией термоЭДС, как Bi. Указанное значение плотности вихревого термоэлектрического тока дает оценка, проведенная на основе расчетов вихревых термоэлектрических токов [25, 34] в пластине, имеющей форму круговой шайбы, внешняя и внутренняя окружности которой поддерживаются при разных температурах: Г0, Т ( рис. И. [15]