Высоковольтный стабилитрон

Cтраница 1

Обобщенные зависимости температурного коэффициента напряжения стабилизации и дифференциального сопротивления от напряжения стабилизации различных стабилитронов. [1]

Высоковольтные стабилитроны должны иметь большую толщину р-п-перехода. Поэтому их делают на основе слаболегированного кремния. [2]

Зависимость ТКН. [3]

У сравнительно высоковольтных стабилитронов с лавинным механизмом пробоя ТКН положителен. Для лавинного механизма пробоя основной причиной температурной зависимости пробивного напряжения является изменение средней длины свободного пробега носителей заряда. С увеличением температуры растет количество столкновений носителей заряда с атомами решетки и средняя длина свободного пробега падает. Это означает, что для приобретения энергии, достаточной для ударной ионизации при повышенной температуре, электрон должен двигаться в более сильном электрическом поле. Следовательно, пробивное напряжение при увеличении температуры должно увеличиваться. Из рис. 5.5 видно, что у низковольтных стабилитронов при напряжении UCT около 5 в и ниже ТКН отрицателен. Это значит, что напряжение пробоя уменьшается с ростом температуры. Такая зависимость характерна для переходов с туннельным пробоем. Вероятность туннельного перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости очень сильно зависит от ширины запрещенной зоны ( см. гл. [4]

При отсутствии высоковольтного стабилитрона можно применить стабилитрон на меньшее напряжение, сделав отвод от соответствующей части обмотки / / / трансформатора Т1 или включив стабилитроны последовательно. [5]

Однако применение более высоковольтного стабилитрона поднимает нижний возможный предел напряжения питания. [6]

Энергетические диаграммы, поясняющие увеличение дифференциального сопротивления с уменьшением напряжения стабилизации для стабилитронов с туннельным пробоем. а - для стабилитрона с пробивным напряжением Упробь 6 - для стабилитрона с пробивным напряжением У ро ( 121 проб1. [7]

Отсюда также ясна целесообразность формирования р-ге-переходов высоковольтных стабилитронов в тонком высокоомном эпитаксиаль-ном слое кремния, выращенном на низкоомной подложке. [8]

Энергетические диаграммы, поясняющие увеличение дифференциального сопротивления с уменьшением напряжения стабилизации для стаби. [9]

Отсюда также ясна целесообразность формирования р-я-переходов высоковольтных стабилитронов в тонком высокоомном эпитаксиаль-ном слое кремния, выращенном на низкоомной подложке. [10]

Одну из этих трудностей можно преодолеть, применяя в качестве источника опорного напряжения высоковольтные стабилитроны с коронным разрядом. Применяя высоковольтный стабилитрон, можно также получить большую величину а и, следовательно, больший коэффициент К. [11]

Обобщенная зависимость дифференциального сопротивления от напряжения стабилизации многих стабилитронов показана на рис. 3.55. Для изготовления высоковольтных стабилитронов с лавинным пробоем в качестве исходного полупроводникового материала необходим высокоомный кремний. Чем больше требуется напряжение стабилизации, тем больше должно быть удельное сопротивление исходного кремния. [12]

Сопротивление д может меняться от десятых долей ома для низковольтных стабилитронов до сотен ом для высоковольтных стабилитронов. [13]

Схема включения ста - Схема стабилизации высокого билитрона. напряжения. [14]

Для стабилизации высокого напряжения ( 1 - 2 кв) при токе в нагрузке до 50 ма применяют высоковольтные стабилитроны ( рис. 11.12), а для стабилизации напряжения 400 - 30 000 в при токе до 1 ма - стабилитроны коронного разряда. [15]

Страницы: 1 2