Стабильность - схема
Cтраница 2
Так как величина Rcs значительно меньше сопротивления RB, стабильность схемы значительно лучше. [16]
В реальных конструкциях точность датчиков с кварцевыми кристаллами определяется стабильностью схемы. Исследования Стокбриджа [313] показали, что давление газа и его адсорбция оказывают пренебрежимо малый с практической точки зрения эффект на резонансную частоту кристалла. Если бы было возможно регистрировать изменение частоты в 1 Гц кристалла с резонансной частотой 5 МГц, то такой датчик обладал бы чувствительностью 2 - 10 - 8 г см-2. Таким образом, предел чувствительности составляет 10 - 7 - 10-в г см-2. [17]
Офсетноэлектрохимический метод пригоден для серийного производства двусторонних печатных плат при стабильности схем. [18]
 |
К определению погрешностей диодного элемента. [19] |
Уменьшение напряжения накала диода ведет к упрощению расчета схем, увеличению стабильности схемы и увеличению долговечности диодов. [20]
Следовательно, при увеличении Ra и уменьшении Re значения 5 уменьшаются и увеличивается стабильность схемы. [21]
Однако следует помнить, что при малых напряжениях питания и рабочих токах ухудшаются параметры приборов и снижается стабильность схем. [22]
Раз - А ПРИ сравнении формулы ( 18) с ( 14) при Ун0, оказывается, что стабильность схемы рис. 3 по сравнению со схемой эмиттерного повторителя рис. 2 больше в Кбб / кк Раз Если при выводе формулы ( 17) принять Пе С и С С ( б С б) и учесть, что YK6Y66, YKK - Y6K, то в конечное выражение ( 18) войдут проводимости У кк и Y K первого и второго транзисторов. Кн - 0, необходимо выбрать оба транзистора с малой величиной YK K. Величина проводимости Ук б обоих транзисторов должна быть по возможности большей. [23]
 |
Основные схемы подачи смещения в транзисторных каскадах. [24] |
Так как коэффициент усиления рт может достигать больших значений ( порядка 30 - - 100), термостабильность такого каскада значительно хуже стабильности схемы с общей базой. [25]
Варистор R10 используется лишь для ограничения большого импульсного напряжения, возникающего на первичной обмотке трансформатора Тр2 во время обратного хода, и стабильность схемы не улучшает. [26]
 |
Схема для осциллографирования динамических характеристик. [27] |
Схема для осциллографирования характеристик показана на рис. 12.19. Большое сопротивление R, соединенное последовательно с источником управляющего напряжения частоты 60 гц, обеспечивает стабильность схемы во всех областях. [28]
Однако если разностное напряжение, величина которого определяется температурным смещением рабочей точки, усилить с помощью дополнительного каскада, то даже при небольшом сопротивлении резистора R3 можно значительно повысить стабильность схемы, так как в этом случае отрицательная обратная связь, действующая по разностному напряжению, будет усилена. [29]
При равенстве потенциалов эмиттера транзистора TI и земли исходный режим работы Т удается обеспечить только при значительном сопротивлении резистора 3, в результате чего общая обратная связь оказывается сильно ослабленной, а стабильность схемы невысокой. [30]
Страницы: 1 2 3 4