Температурная стабильность - схема
Cтраница 1
 |
Схематическое изображение структуры тиристора ( а и его эквивалентная схема ( б. [1] |
Температурная стабильность схем с полевыми транзисторами велика, так что никаких специальных мер для стабилизации режима не требуется. [2]
Отсюда, чем лучше температурная стабильность схемы, тем меньше коэффициент нестабильности S, который, однако, не может быть меньше единицы. [3]
RK макс, то температурная стабильность схемы улучшается, но одновременно больше шунтируется входной сигнал. [4]
Следует отметить, однако, что температурная стабильность схемы с общим эмиттером оказывается несколько хуже, чем схемы с общей базой. [5]
Включение диодов в дифференциальный усилитель снижает общую температурную стабильность схемы, так как их параметры также в значительной степени зависят от температуры. [6]
Из (10.26) и (10.28) следует также, что температурная стабильность схемы с резистором в цепи эмиттера выше. Это обусловлено тем, что относительное изменение а с изменением температуры значительно меньше, чем относительное изменение В. [7]
 |
Зависимость / к от времени пребывания транзистора под нагрузкой. [8] |
Известно, что увеличение Кэ приводит к повышению температурной стабильности схемы. [9]
Если промежуток эмиттер - база шунтирован дополнительным сопротивлением, то температурная стабильность схемы несколько повышается. [10]
Повышенное напряжение питания в третьем каскаде позволяет использовать несколько больший коллекторный ток, что увеличивает коэффициент усиления и улучшает температурную стабильность схемы. Третьему каскаду обычно не грозит значительное увеличение коллекторного тока с повышением температуры, поэтому коллекторное напряжение транзистора может быть небольшим. [11]
Необходимо отметить, что во многих случаях ЛЗ ( рис. 3.18) может работать без цепей фиксации, что упрощает ее. Введение напряжения фиксации повышает температурную стабильность схемы, уменьшая влияние тока / ко, а также позволяет увеличивать величину емкости конденсатора и быстродействие схемы. [12]
Введение напряжения подпорки повышает чувствительность схемы и улучшает ее временные характеристики. Вместе с тем слишком большая величина напряжения подпорки может снизить временную и температурную стабильность схемы. [13]
Введение напряжения подпорки повышает чувствительность схемы и улучшает ее временные характеристики. Вместе с тем слишком большая величина напряжения подпорки может снизить временную и температурную стабильность схемы. Пер, является наиболее целесообразным режимом переключающего диода в ждущем ( непроводящем) состоянии. [14]
 |
Схема управления релейного типа. [15] |
Страницы: 1 2