Высокая температурная стабильность

Cтраница 3

Принципиальная ( а и эквивалентная ( 6 схемы простейшего автогенератора на туннельном диоде.| Схемы автогенераторов на туннельных диодах. [31]

Туннельный диод благодаря широкому частотному диапазону, малой потребляемой мощности и высокой температурной стабильности является наиболее перспективным прибором для построения миниатюрных, высокостабильных, широкодиапазонных автогенераторов. Недостатком генераторов на туннельных диодах является малая выходная мощность, а также некоторая нестабильность работы из-за разброса параметров современных туннельных диодов. [32]

Стойкость карбида кремния по отношению к проникающей радиации в сочетании с высокой температурной стабильностью позволяет использовать диффузионные и выращенные переходы на SiC в качестве детекторов ядерного излучения, способных работать непосредственно в горячей зоне ядерных реакторов. [33]

Таким образом, эвритермные ферменты, по-видимому, могли бы отличаться высокой температурной стабильностью конфигурации участков, связывающих субстрат. [34]

Эквивалентные схемы. [35]

Еще одним достоинством ( кроме отмеченных выше) мощных полевых транзисторов является высокая температурная стабильность параметров этих приборов по сравнению с мощными биполярными транзисторами. [36]

В настоящее время применение пластинчатых конденсаторов в РЭА оправдано только при обеспечении высокой температурной стабильности емкости и минимальных габаритных размеров. Это необходимо учитывать при проектировании. В данном случае рекомендуется следующий алгоритм. [37]

Рассмотрим вначале, каким образом при разработке конструкции реле и переключателей можно обеспечить высокую температурную стабильность чувствительности. [38]

Это, однако, не значит, что кремниевые транзисторы тем самым обеспечивают более высокую температурную стабильность каскадов, так как им часто присущи более сильные зависимости р ( Т) и i / эв ( Т), чем у германиевых транзисторов. [39]

Кроме того, сердечники как числовых линеек, так и координатных трансформаторов должны иметь высокую температурную стабильность. [40]

Основные схемы включения транзисторов ОБ - общая база. ОЭ - общий эмиттер. ОК - общий коллектор. [41]

Схема ОБ также находит применение в транзисторной технике, так как она обеспечивает несколько более высокую температурную стабильность, чем схема с ОЭ. [42]

Составы типа Pd-Ag разработаны в порядке совершенствования композиции Pd-PdO-Ag и по сравнению с ней отличаются более высокой температурной стабильностью. [43]

Динамическая помехоустойчивость микросхем разных типов. а - для положительных импульсов. б - для отрицательных импульсов. [44]

Благодаря малой подверженности характеристик приборов КМОП действию температуры различные импульсные устройства на их основе обладают высокой температурной стабильностью временных параметров. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5