Стабистор

Cтраница 2

Основная часть стабисторов - это кремниевые диоды, отличающиеся от обычных выпрямительных диодов тем, что р-п-пе-реходы для стабисторов формируют в низкоомном кремнии. Это необходимо для получения меньшего объемного сопротивления базы и соответственно, меньшего дифференциального сопротивления стабистора. Сопротивление базы может влиять на значение дифференциального сопротивления стабистора, так как его p - n - переход при работе смещен в прямом направлении и имеет малое сопротивление. [16]

Основная часть стабисторов - это кремниевые диоды, отличающиеся от обычных выпрямительных диодов тем, что р-п-пе-реходы для стабисторов формируют в низкоомном кремнии. Это необходимо для получения меньшего объемного сопротивления базы и соответственно меньшего дифференциального сопротивления стабистора. Сопротивление базы может влиять на значение дифференциального сопротивления стабистора, так как его р-п-переход при работе смещен в прямом направлении и имеет малое сопротивление. [17]

Структуры биполярных транзисторов и условные графические обо. [18]

Для изготовления стабисторов применяют кремний с относительно большой концентрацией примесей, что необходимо для получения меньшего дифференциального сопротивления. [19]

Отличительной особенностью стабисторов по сравнению со стабилитронами является меньшее напряжение стабилизации, которое определяется прямым падением напряжения на диоде и для кремниевых стабисторов составляет примерно 0 7 В. Такие цепочки из последовательно соединенных диодов монтируют в одном корпусе. [21]

Поэтому стабилитроны и стабисторы используют в стабилизаторах напряжения и тока. Участки характеристик, соответствующие режимам работы этих приборов в схемах, называют рабочими. Рабочие участки аб стабилитронов и вг стабисторов находятся соответственно на обратной и прямой ветвях характеристик. [22]

Перспективными являются также селеновые стабисторы. У одного из типов стабисторов с диаметром селеновой шайбы 7 2 мм, напряжение стабилизации при токах 0 5 - 2 ма составляет 0 75 0 05 в; динамическое сопротивление - около 50 ом. [23]

Для стабилитронов и стабисторов четвертый и пятый элементы определяют напряжение стабилизации, а шестой элемент - последовательность разработки с обозначением от А до Я. [24]

Разновидностью кремниевых стабилитронов являются стабисторы. В этих диодах для стабилизации низких напряжений ( до 1 В) используется прямая ветвь ВАХ р-п перехода. Для изготовления стабисторов используется сильнолегированный кремний, что позволяет получать меньшие значения сопротивления базы диода. Температурный коэффициент стабилизации стабисторов отрицательный и примерно равен - 2 мВ / К. [25]

Сначала выбирают стабилитрон ( стабистор), напряжение стабилизации которого t / cT возможно ближе к требуемому значению t / вьи. [26]

Для увеличения тока через стабисторы выводы 5 к6 следует замкнуть накоротко. [27]

Параллельное соединение стабилитронов и стабисторов не применяют, так как вследствие различия их сопротивлений ток распределится между ними неравномерно. В результате стабилитрон с меньшим сопротивлением окажется перегруженным и стабилизатор будет ненадежен в работе. [28]

Важным параметром стабилитронов и стабисторов является температурный коэффициент напряжения стабилизации ТКН ( дист / ДТ) ЮО, который показывает на сколько процентов изменится напряжение стабилизации ( AUCT) при изменении температуры ( ДТ) на 1 С. Этот параметр у стабилитронов с напряжением стабилизации более 6 В положительный, а менее 6В - отрицательный. Для уменьшения ТКН разработаны так называемые температурно-компенсированные прецизионные стабилитроны. В этих приборах путем последовательно соединенных двух или более р - n переходов с различным по знаку ТКН удается получить стабилитроны с ТКН не более 0.000 5 % / С в широком диапазоне температур. Такие стабилитроны применяются в ис - - точниках эталонного напряжения вместо нормальных элементов. Ряд стабилитронов используется в импульсных режимах и применяется для стабилизации амплитуды импульсов, их ограничения, а также для защиты входов чувствительных устройств от перегрузок по напряжению. Наряду со стабилитронами, имеющими несимметричную ВАХ, выпускаются двуханодные стабилитроны, имеющие симметричную ВАХ. Они применяются в качестве элементов для двустороннего ограничения напряжения и могут использоваться так же и как опорные стабилитроны. [29]

Из-за малого сопротивления базы стабистора изменение [ / Пр определяется зависимостью напряжения на р-п-переходе от температуры. Поэтому с ростом температуры 1 / ир стабистора уменьшается примерно на 2 мВ / С. [30]

Страницы: 1 2 3 4