Кристаллографическая магнитная анизотропия

Cтраница 1

Кривые намагничения ферромагнитных монокристаллов вдоль главных кристаллографических направлений. [1]

Количество запасенной энергии кристаллографической магнитной анизотропии зависит от величины работы намагничения до насыщения. В свою очередь эта величина зависит от угла, образованного вектором намагничения с направлением легкого намагничения. [2]

Рассмотрим теперь влияние энергии кристаллографической магнитной анизотропии. [3]

Со, К, Кг - константы кристаллографической магнитной анизотропии, определяемые экспериментально; ось 0 2, аз - направляющие косинусы вектора намагниченности по отношению к ослм х, у, г, совпадающим с основными кристаллографическими направлениями кубической решетки. [4]

Кривые намагничивания ферромагнитных монокристаллов вдоль главных кристаллографических направлений. [5]

Величина работы намагничивания зависит от количества некоторой запасенной энергии кристаллографической магнитной анизотропии, а следовательно, и от угла, образованного вектором намагничивания с направлением легкого намагничивания. [6]

А - обменный параметр; СН: а - константа кристаллографической магнитной анизотропии; - константа локальной анизотропии. Соответствующее ЗС слагаемое в (5.1) описывает квазиупругую энергию границы. Последнее слагаемое представляет энергию размагничивающего поля, препятствующую выходу магнитных моментов из плоскости границы. [7]

Более детальное рассмотрение природы граничного слоя требует учета не только энергии кристаллографической магнитной анизотропии, но также и магнитоупругой энергии, вызванной явлением маг-нитострикции. В реальных кристаллах на характер граничных елоез оказывают также влияние различного рода внутренние неоднородности. [8]

Более детальное рассмотрение природы граничного слоя требует учета не только энергии кристаллографической магнитной анизотропии, но также и магнитоупругой энергии, вызванной явлением маг-нитострикции. В реальных кристаллах на характер граничных слоев оказывают также влияние различного рода внутренние неоднородности. [9]

Более детальное рассмотрение природы граничного слоя требует учета не только энергии кристаллографической магнитной анизотропии, но также и магнитоупругой энергии, вызванной явлением маг-нитострикции. В реальных кристаллах на характер граничных слоез оказывают также влияние различного рода внутренние неоднородности. [10]

АМС на основе железа являются магнитно-мягкими материалами, в которых нет кристаллографической магнитной анизотропии и существенно снижены потери на перемагничивание. При этом магнитные свойства малочувствительны к механическим воздействиям. Получены магнитные материалы и с высокой магнитной энергией. Они представляют собой соединения редкоземельных и переходных металлов. [11]

Более детальное рассмотрение природы граничного слоя требует учета не только энергии кристаллографической магнитной анизотропии, но также и магнитоупругой энергии, вызванной явлением магнитострикции. В реальных кристаллах на характер граничных слоев оказывают также влияние различного рода внутренние неоднородности. [12]

Схема спонтанной магнито-стрикции. увеличение ( а и уменьшение ( б образца при переходе через точку Кюри. [13]

Уравнение (10.5) и есть выражение для свободной энергии магнитной анизотропии недеформированной решетки, или энергии естественной кристаллографической магнитной анизотропии кристаллов, имеющих структуру куба. [14]

Обозначения плоскостей кубической решетки.| Кривые намагничивания монокристалла железа. [15]

Страницы: 1 2 3