Начальная стадия - зарождение
Cтраница 1
 |
Алюминий, подвергнутый обжатию на 40 % и отжигу в течение 10 с при 328 С. Ориентировки пронумерованных зерен определялись с помощью линий Кику-чи. [1] |
Начальные стадии зарождения в деформированном алюминии исследовались Февром [17], работающим совместно с автором настоящего обзора. [2]
Хемосорбированный водород создает на поверхности субмикроязвы ( начальная стадия зарождения субмикротре-щины) слой отрицательных ионов водорода. Локализация отрицательных ионов водорода на берегах и у вершины идеально острой зародышевой микротрещины значительно облегчает разрыв максимально напряженных межатомных связей в кристаллической решетке металла. Одновременно с первой стадией осуществляется доставка атомов и ионов водорода посредством дисклокаций в окрестности образующейся микротрещины и особенно к ее вершине, в результате чего повышается концентрация напряжений, которая ведет к ослаблению межатомных связей в структуре при реализации разрушения по механизму микроскола. [3]
Можно предположить, что эти структуры соответствуют начальной стадии зарождения сферолитов. [5]
Приведенные теории полностью не объясняют эпитаксиальный рост пленок, так как все они основаны на неудовлетворительных моделях роста на начальной стадии зарождения. В настоящем разделе будут изложены основные концепции роста эпитаксиального слоя с точки зрения теории зародышеобразования. [6]
Правильная подготовка к осмотру места происшествия важна не только потому, что обеспечивает квалифицированное его проведение, но и служит начальной стадией зарождения у следователя версий о причинах аварии. [7]
В монографии рассмотрены кинетические закономерности нестационарного и неизотермического процесса спонтанного образования кристаллов из жидкой фазы. Проведен теорети-иеский анализ статистических закономерностей кинетики начальной стадии зарождения центров кристаллизации, на основе яего разработаны экспериментальные методы определения кинетических параметров процесса образования кристаллов одной или различных полиморфных модификаций. Описана установка статистического термического анализа и результаты исследования кинетики фазовых превращений в расплавах металлов, полупроводников, диэлектриков и в водных растворах неорганических солей, реально используемых для выращивания технически ценных кристаллов. [8]
Стено [357] не смог предложить никакого приемлемого объяснения, как и почему возникает исходный зародыш кристалла. Он лишь доказал, что после осуществления начальной стадии зарождения дальнейший рост происходит путем наружной укладки частиц на существующие грани кристалла. [9]
 |
Типичный вид кинетических кривых при анодном окислении кремния в потенциоста-тическом режиме U2Ua const. [10] |
На явлении уплотнения пленки основано использование так называемого комбинированного режима анодного окисления. При этой последовательности режимов окисления соблюдаются наиболее благоприятные условия как на начальной стадии зарождения окисной пленки, так и на конечном этапе при ее доуплотнении. [11]
Построение большого ансамбля Гиббса позволяет избежать неопределенности, возникающей при расчете микроскопической начальной стадии зарождения новой фазы, и получить более точное значение кинетического ( предэкспонеицналыюго) множителя. Кроме того, в показателе экспоненты дается более точное значение работы образования зародыша благодаря учету зависимости поверхностного натяжения от кривизны поверхности вновь образующейся фазы. [12]
Построение большого ансамбля Гиббса позволяет избежать неопределенности, возникающей при расчете микроскопической начальной стадии зарождения новой фазы, и получить более точное значение кинетического ( предэкспонеицналыюго) множителя. Кроме того, в показателе экспоненты дается более точное значение работы образования зародыша благодаря учету зависимости поверхностного натяжения от кривизны поверхности вновь образующейся фазы. [13]
Зарождение трещин в металле при наложении растягивающих напряжений обычно происходит в средах, которые вызывают локализованную коррозию. Образование первичных трещин может быть связано с возникновением туннелей ( порядка 0 05 мкм) или с начальными стадиями зарождения питтингов. Всевозможные нарушения кристаллического строения ( границы зерен, включения, дислокации), риска, субмикроскопические трещины в металле или на защитной пленке могут стать местами зарождения трещин и значительно повышать склонность к КР. Интенсивная коррозия металла на отдельных ограниченных участках поверхности напряженного металла, испытывающего растягивающие напряжения, может привести к образованию очень узких углублений, величина которых может быть соизмерима с межатомными расстояниями. Отмечается, что существует критический потенциал КР, отрицательнее которого КР не будет происходить. Например, критический потенциал КР стали типа 18 - 8 в кипящем хлориде магния составляет - 0 14 В. [14]
Ограненные ( кристаллографические) питтинги и питтинги неправильной формы ( анизотропно растущие в различно ориентированных зернах металла), как правило, являются травлеными. Они обнаружены на железе, углеродистых, низколегированных и нержавеющих сталях, никеле, алюминии, цинке, хроме. Форма кристаллографических питтингов соответствует правильным пирамидам, призмам, и сложным многогранникам, как правило, ограниченным низкоиндексными плоскостями кристаллической решетки, а тип огранки определяется пустотами кристаллической решетки, образовавшимися на начальных стадиях зарождения питтингов. [15]
Страницы: 1 2