Изменение - барьерная емкость
Cтраница 1
Изменение барьерной емкости при изменении напряжения на p - n - переходе и перезарядка этой емкости под действием изменяющегося напряжения обусловлены смещением основных носителей заряда в прилегающих к переходу областях. [1]
Изменение барьерной емкости при изменении напряжения на электронно-дырочном переходе, а также заряд и разряд этой емкости под действием изменяющегося напряжения обусловлен смещением основных носителей заряда в прилегающих к переходу областях. [2]
 |
Частотная зависимость добротности кремниевых ( а и. [3] |
Аналогичный механизм изменения барьерной емкости при освещении имеет место и у диодов Шотки. Перспективными для использования в качестве фотоемкостей являются МДП-структуры ( гл. [4]
 |
Конструкция варикапа.| Схема включения варикапа. [5] |
Таким образом, изменение обратного напряжения, приложенного к р-п переходу, приводит к изменению барьерной емкости между р - и - областями. [6]
На рис. 2 - 22, б, в показаны временные диаграммы управляющего напряжения на варикапе и изменения барьерной емкости р-п перехода; Ucu является напряжением смещения, которое определяет исходное положение точки покоя Я на вольт-фарадной характеристике. [8]
На рис. 2 - 22, б, в показаны временные диаграммы управляющего напряжения на варикапе и изменения барьерной емкости р-п перехода; t / CM является напряжением смещения, которое определяет исходное положение точки покоя П на вольт-фарадной характеристике. [10]
 |
Пояснение принципа работы варикапа. [11] |
Принцип работы варикапа поясняется рис. 5.30. Рабочая точка Сном на нелинейной характеристике Со f ( U) выбирается с помощью напряжения смещения U см. При подаче на варикап управляющего напряжения U, изменяющегося по синусоидальному закону, происходит изменение барьерной емкости в пределах от Craln до Сшах - Таким образом, с помощью внешнего сигнала осуществляется управление величиной емкости варикапа. [12]
В выпрямляющем электрическом переходе и прилегающих к нему областях происходят разнообразные физические процессы, которые могут приводить к эффекту выпрямления, к нелинейному росту тока с увеличением напряжения, к лавинному размножению носителей заряда при ударной ионизации атомов полупроводника, к туннелированию носителей сквозь потенциальный барьер выпрямляющего электрического перехода как при обратном, так в определенных условиях и при прямом напряжении, к изменению барьерной емкости с изменением напряжения, к эффекту накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в прилегающих к выпрямляющему переходу областях. Все эти эффекты используют для создания различных видов полупроводниковых диодов: выпрямительных, смесительных, детекторных и переключательных, диодов с резким восстановлением обратного сопротивления, стабилитронов, стабисторов, шумовых, ла-винно-пролетных, туннельных и обращенных диодов, варикапов. [14]
 |
Эквивалентная схема Нием p - n - перехода Яр ( -. полупроводникового диода - вари - тт vr. [15] |
Страницы: 1 2