Включение - диод - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 5
Сказки - это страшные истории, бережно подготавливающие детей к чтению газет и просмотру теленовостей. Законы Мерфи (еще...)

Включение - диод

Cтраница 5


Различаются микросхемы полярностью включения диодов.  [61]

62 Модель микросхемы ДТЛ с входными диодами, образующими паразитные р-п-р-траюисторы 262. [62]

При выборе схемы включения диодов в ИМС наряду с учетом их электрических характеристик принимают во внимание также влияние паразитных эффектов, обусловленных взаимодействием рабочих областей с подложкой и изолирующими слоями. При этом особенно существенно проявляется активное действие паразитных транзисторов, оказывающее определенное влияние на работу ИМС.  [63]

64 Схемы и графики напряжений последовательных. [64]

Если изменить полярность включения диода ( рис. 129 6), схема превращается в последовательный ограничитель по максимуму с нулевым уровнем ограничения. При положительных входных импульсах диод тока не проводит и на нагрузке не создается напряжения.  [65]

66 Изменение вольт-амперных характеристик полупроводникового диода в зависимости от температуры. 1 - 65 С. 2 - 20 С.| Вольт-амперные характеристики полупроводникового диода типа 1N4148 ( 7 и биполярного транзистора типа ВС108 ( 2. [66]

Рассмотрим теперь схему включения диода, в которой для уменьшения тепловых потерь и нагрева диода ток уменьшается до 100 мА при сохранении указанного выше свойства р-п - перехода. В этом случае возникает одна проблема, связанная с тем, что в области малых токов характеристика имеет меньшую крутизну и к тому же является нелинейной. Поэтому лучше использовать р-и-переход транзистора, что подтверждается его вольт-амперной характеристикой.  [67]

При изменении полярности включения диода и подключении нагрузки диод будет находиться под об-ратным смещением, что препятствует протеканию тока в цепи.  [68]

69 Устройство плоскостного диода, ( схематический разрез. [69]

Участок ОБ соответствует включению диода в обратном, запорном направлении. Величина обратного тока мало зависит от приложенного напряжения. При большом обратном напряжении происходит пробой р-п-перехода.  [70]

Правая ветвь соответствует включению диода в прямом направлении и характеризует открытое состояние диода. Эта ветвь экспоненциально зависит от приложенного напряжения. После превышения определенного напряжения ( иА) наблюдается резкое возрастание прямого тока, который может вывести диод из строя.  [71]



Страницы:      1    2    3    4    5