Cтраница 5
Различаются микросхемы полярностью включения диодов. [61]
![]() |
Модель микросхемы ДТЛ с входными диодами, образующими паразитные р-п-р-траюисторы 262. [62] |
При выборе схемы включения диодов в ИМС наряду с учетом их электрических характеристик принимают во внимание также влияние паразитных эффектов, обусловленных взаимодействием рабочих областей с подложкой и изолирующими слоями. При этом особенно существенно проявляется активное действие паразитных транзисторов, оказывающее определенное влияние на работу ИМС. [63]
![]() |
Схемы и графики напряжений последовательных. [64] |
Если изменить полярность включения диода ( рис. 129 6), схема превращается в последовательный ограничитель по максимуму с нулевым уровнем ограничения. При положительных входных импульсах диод тока не проводит и на нагрузке не создается напряжения. [65]
Рассмотрим теперь схему включения диода, в которой для уменьшения тепловых потерь и нагрева диода ток уменьшается до 100 мА при сохранении указанного выше свойства р-п - перехода. В этом случае возникает одна проблема, связанная с тем, что в области малых токов характеристика имеет меньшую крутизну и к тому же является нелинейной. Поэтому лучше использовать р-и-переход транзистора, что подтверждается его вольт-амперной характеристикой. [67]
При изменении полярности включения диода и подключении нагрузки диод будет находиться под об-ратным смещением, что препятствует протеканию тока в цепи. [68]
![]() |
Устройство плоскостного диода, ( схематический разрез. [69] |
Участок ОБ соответствует включению диода в обратном, запорном направлении. Величина обратного тока мало зависит от приложенного напряжения. При большом обратном напряжении происходит пробой р-п-перехода. [70]
Правая ветвь соответствует включению диода в прямом направлении и характеризует открытое состояние диода. Эта ветвь экспоненциально зависит от приложенного напряжения. После превышения определенного напряжения ( иА) наблюдается резкое возрастание прямого тока, который может вывести диод из строя. [71]