Включение - источник - напряжение
Cтраница 1
Включение источника напряжения ( 72 вызывает смещение коллекторного р-л-перехода в обратном направлении и увеличение потенциального барьера на нем. Электроны из коллекторной области n - типа переходить в базу через коллекторный р-п-переход по-прежнему не могут. [1]
Включение источника напряжения U2 вызывает смещение коллекторного перехода в обратном направлении и увеличение потенциального барьера на нем. Электроны из коллекторной области п-типа переходить в базу через коллекторный переход по-прежнему не могут. Включение источника напряжения f /, вызывает смещение эмиттерного перехода в прямом направлении. Электроны из эмиттерной области проходят через эмиттерныи р-я-переход в базу. Концентрация неосновных носителей в базе у границы с эмиттерным переходом резко увеличивается. [2]
Включение источника напряжения L / J вызывает смещение эмиттерного р-п-пере хода в прямом направлении. Электроны из эмиттерной области проходят через эмиттерный р-п-переход в базу. Концентрация неосновных носителей в базе у границы с эмиттерным p - n - переходом резко увеличивается. [3]
 |
Перемещение луча - по экрану. [4] |
При включении источника напряжения конденсатор начинает заряжаться через сопротивление. [5]
При включении источника напряжения между выводами базы и коллектора токораспределение изменяется: ток коллектора возрастает, а ток базы уменьшается. Соответственно уменьшается падение напряжения на омическом сопротивлении базы, а следовательно, и напряжение между внешними выводами эмиттера и базы транзистора. [6]
При включении источника напряжения с полярностью, соответствующей проводящему направлению ( см. рис. 5, в), потенциальный барьер на переходе уменьшается, следовательно, должен уменьшаться заряд, которым этот барьер обусловлен. [7]
Таким образом, включение источников напряжения ( Д и С / 2 приводит к неравномерности концентрации неосновных носителей по ширине базы - концентрация у эмиттерного р-я-перехода становится намного большей. Из-за этого начинает сказываться явление диффузии - неосновные носители из области с большой концентрацией движутся в область с меньшей концентрацией, подобно тому, как молекулы газа всегда диффундируют из области с большим давлением в область с меньшим давлением. [8]
Таким образом, включение источников напряжения U1 и f / 2 приводит к неравномерности концентрации неосновных носителей по ширине базы - концентрация у эмиттерного перехода становится намного большей. [9]
 |
Схемы опытного определения сопротивлений нулевой последовательности. [10] |
Первый случай соответствует включению источника напряжения в рассечку треугольника, а второй - его включению в нулевой провод, когда обмотка соединена в звезду. [11]
На рис. 45 изображена схема включения источников напряжения и питаемой нагрузки. [12]
 |
Распределение в транзисторе. [13] |
Распределение концентрации дырок в базе для рассмотренной полярности включения источников напряжения показано на рис. 10, в. [14]
На рис. 2.5, а показан другой способ включения источника напряжения смещения, при котором изменяется только уровень включения ключа, а напряжение на выходе ключа при запертом диоде остается равным нулю. [15]
Страницы: 1 2