Включение - напряжение
Cтраница 3
При включении напряжения возникает разряд и волокно ( /) заостряется под действием ионной бомбардировки. Форма острия зависит от диаметра волокна, напряжения разряда и расстояния между электродами. Меняя напряжение или расстояние с помощью микрометрического винта ( 4), можно управлять формой острия. Процесс заострения можно проводить на воздухе или в техническом вакууме, а напряжение при необходимости может быть импульсным. [31]
 |
Ртутный треханодный экси-трон. [32] |
При включении напряжения ( положительным полюсом - к одному из рабочих анодов, отрицательным - к катоду) между этими электродами появляется электрическое поле, которое ионизирует тем большее количество молекул ртути, чем выше напряжение и силь. [33]
При включении напряжения со стороны шин и со стороны генератора лампы на обеих фазах при одинаковом чередовании фаз должны загораться и гаснуть одновременно. [35]
При включении напряжения эта пленка немедленно восстанавливается. Так как на менее активных участках пленка будет тоньше, то здесь она может восстановиться раньше, и эти участки покроются осаждаемым металлом. [37]
 |
Режим работы фотодиода с накоплением заряда и использованием источника постоянного напряжения.| Фотодиод с ключевым диодом. [38] |
При включении напряжения на фотодиоде уЬф появляется обратное смещение, а на диоде VD-прямое. После прохождения импульса заряд, первоначально. [39]
При включении напряжения 22 - 26 В от блока БП стабилитроном Д / и транзистором Т6 в точках а и б поддерживается постоянное напряжение 22 В. Через точки 3 - 2 Tpl напряжение поступает на эмиттер Т1 задающего каскада, а через точки 3 - 2 - 1 Tpl - - на его базу. Одновременно заряжаются конденсаторы С1 и С2 колебательного контура. Благодаря наличию в электрическом токе переменной составляющей в цепи эмиттер-коллектор ТУ возникают электрические колебания частотой 9 кГц, определяемые настройкой колебательного контура. Со вторичной обмотки Tpl переменный ток поступает на предварительный двухтактный усилитель на транзисторах Т2 и ТЗ. Если в точке 7 Tpl будет потенциал плюс, а в точке 5 - минус, то транзистор Т2 открывается, а ТЗ закрывается. В коллекторной цепи Т2 включена первичная обмотка Тр2 ( точки 3 и 2), в которую переменный ток поступает от точки а по цепи, показанной на рисунке штриховой линией. Спустя полпериода потенциалы точек 7 и 5 Tpl изменяются, и тогда Т2 закрывается, а ТЗ открывается. [40]
При включении напряжения питания или нажатии клавиши RESET управление передается на ячейку памяти с нулевым адресом. Поэтому одна микросхема занимает первые 2 К байт адресного пространства МК, другая, размещенная в старшей части пространства - область OF800H - OFFFFH. По усмотрению пользователя это УСППЗУ может быть перемещено в любую другую область. [41]
 |
Схемы включения транзистора.| Схема токопрохождения в транзисторе типа р-п - р. [42] |
При включении напряжений источников Е3 и Ек изменяются потенциальные диаграммы р-л-переходов. Под действием напряжения Ея, подключенного в прямом направлении, снижается потенциальный барьер на границе эмиттерного перехода, вследствие чего через переход происходит перемещение ( инъекция) дырок из эмиттерной области в базовую, а электронов - наоборот, из базовой в эмиттерную. [43]
При включении напряжения питания один из транзисторов переходит в режим насыщения, а второй - в режим отсечки. Это объясняется тем, что незначительные изменения тока одного из транзисторов, например за счет колебания температуры, приводят к изменению потенциала его коллектора, а следовательно, и потенциала базы другого транзистора. [44]
При включении напряжения смещения Е0 диод приоткрывается и уровень ограничения на величину смещения перемещается в область отрицат. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5