Включение - переход
Cтраница 2
 |
Устройство фототранзистора. [16] |
Первые две из этих схем не отличаются от рассмотренной выше схемы включения р-п перехода в фотодиодном режиме и практического интереса не представляют. Вольт-амперные характеристики эмиттерного и коллекторного переходов аналогичны вольт-амперным характеристикам фотодиода и отличаются друг от друга главным образом потому, что геометрические размеры эмиттерного и коллекторного переходов различны. [17]
 |
Электрическая схема управления контакторами ослабления возбуждения тяговых электродвигателей тепловозов 2ТЭ10В. [18] |
Для включения цепи управления ослаблением возбуждения тяговых электродвигателей необходимо включить тумблер УП. Включение реле перехода РП1 настраивают на / 5 - й позиции контроллера машиниста при токе тягового генератора 3050 - 3100 А, а реле РП2 - при токе тягового генератора 2850 - 2900 А. [19]
Динамическое равновесие токов нарушается, если к переходу подвести напряжение внешнего источника. Включение р-п перехода в непропускном ( обратном) направлении приведет к сущест - венному уменьшению диффузионного тока и не изменит ток проводимости; в цепи установится ток неосновных носителей, практически не зависящий от приложенного внешнего напряжения. Смена полярности источника также не повлияет на величину тока проводимости, но резко увеличит диффузионный ток; в цепи устанавливается ток, образованный главным образом основными носителями и сильно зависящий от величины напряжения внешнего источника. Поскольку концентрация основных носителей на несколько порядков выше концентрации неосновных носителей, ясно, что прямой ток р-п перехода может быть во много раз больше обратного. [20]
Если полярность внешнего источника приложить так, как показано на рис. 2 6, высота барьера увеличится, т.е. знак минус в - формуле ( М изменится на противоположный. Такое включение перехода называется обратным. [21]
Переходы п - л у бензофенона и других арилкетонов происходят при больших длинах волн, чему алифатических альдегидов и кетонов. Классификация спектров сопряженной системы, подобной бензо-фенону, с включением переходов ароматических колец и ненасыщенных групп, которые оказывают друг на друга влияние, является полезным приближением. Однако необходимо иметь в виду, что это всего лишь приближение и что все переходы имеют смешанный характер. [22]
Переходы п - л у бензофенона и других арилкетонов происходят при больших длинах волн, чем у алифатических альдегидов и кетонов. Классификация спектров сопряженной системы, подобной бензо-фенону, с включением переходов ароматических колец и ненасыщенных групп, которые оказывают друг на друга влияние, является полезным приближением. Однако необходимо иметь в виду, что это всего лишь приближение и что все переходы имеют смешанный характер. [23]
 |
Вольт-амперная характеристика перехода. [24] |
Вольт-амперные характеристики переходов используются также для определения сопротивления базы. Для этой цели характеристика определяется как в области сравнительно больших токов включением перехода в диодном режиме ( при отключенном коллекторе), так по методике. Результаты измерения напряжений Убэ в указанных двух случаях будут различны. [25]
 |
Полярность включения n - p - п-транзистора.| Полярность включения р-п-р-транзи - стора. [26] |
Два других электрода называются эмиттером Е и коллектором С. Диодная эквивалентная схема, приведенная рядом с условным обозначением, поясняет структуру включения переходов транзистора. Хотя эта схема не характеризует полностью функции транзистора, она дает возможность представить действующие в нем обратные и прямые напряжения. Обычно переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, а переход база-коллектор-в обратном. [27]
 |
Характеристики р-ге-перехода. [28] |
Ток проводимости при этом практически не изменится, так как он определяется количеством неосновных носителей, обладающих достаточной тепловой скоростью для попадания в область p - n - перехода. Такое включение перехода называется прямым включением, а внешнее напряжение такой полярности - прямым напряжением. [29]
Если к p - n - переходу приложить напряжение другой полярности ( как показано на рис. 41, в), в полупроводнике возникает электрическое поле Eo6f, направление которого совпадает с направлением поля Ек и результирующее поле Ev в переходе будет больше поля Ек. При этом потенциальный барьер повышается и сопротивление запирающего слоя увеличивается. Такое включение перехода называется обратным, включением, а внешнее напряжение - обратным напряжением. [30]
Страницы: 1 2 3