Cтраница 4
![]() |
Схема установки.| Схема установки. [46] |
Зеркальце 6 соединено с испытуемым ферромагнитным образцом 5, находящимся внутри соленоида, посредством медного стержня. При включении магнитного поля линейные размеры образца изменяются и благодаря вызываемому этим смещению зеркальца 6 изменяется оптическая разность хода двух пучков света. Интерференционные полосы при этом смещаются. [47]
Ширина поля 12 5 см. В отсутствие магнитного поля пучок электронов дает пятно в точке F флуоресцирующего экрана АА, расположенного на расстоянии 1 5 см от края полюсов магнита. При включении магнитного поля пятно смещается в точку В. [48]
Ширина поля / 2 5 см. В отсутствие магнитного поля пучок электронов дает пятно в точке F флуоресцирующего экрана АА, расположенного на расстоянии / i 5 см от края полюсов магнита. При включении магнитного поля пятно смещается в точку В. [49]
На двух параллельных шинах, расположенных на расстоянии 10 см, лежит толстый проводник массой 100 г. Шины подключены к источнику напряжения, и по проводнику идет ток 10 А. При включении магнитного поля, перпендикулярного к плоскости, в которой находятся шины, проводник приходит в равномерное движение. [50]
Жидкие кристаллы обладают анизотропией электропроводности. При включении магнитного поля в направлении, параллельном электрическому току, протекающему через жидкокристаллический n - азоксианизол, его проводимость увеличивается. Значит, вещество обладает анизотропией электропроводности, и ее значение максимально вдоль длинных осей молекул. В случае переменного тока частотой 50 гц включение магнитного поля ( 1000 гаусс) перпендикулярно обкладкам конденсатора, к которым приложено электрическое поле 50 в / см, вызывает увеличение проводимости на 15 % через 30 сек. Такое же магнитное поле, но при напряжении электрического поля 100 в / см, повышает проводимость всего лишь на 10 %, но уже через 4 сек. [51]
Ширина поля Ь2 5 см. В отсутствие магнитного поля пучок электронов дает пятно в точке А флуоресцирующего экрана, расположенного на расстоянии / 5 см от края полюсов магнита. При включении магнитного поля пятно смещается в точку В. [52]
При включении магнитного поля под действием силы Лоренца частоты вращения электронов по левому и правому кругу смещаются в различные стороны относительно первоначального значения собственной частоты вращения. В результате при наблюдении вдоль поля каждая линия поглощения расщепляется на две линии, симметрично расположенные по обе стороны от первоначальной линии. Одна из них будет линией поглощения для волны с правым направлением вращения, другая - для волны с левым направлением. Так как показатель преломления зависит от близости частоты волны к собственным частотам вещества ( дисперсия), то под действием магнитного поля изменяется и показатель преломления, причем различно для волн одной частоты, поляризованных по правому и левому кругу. В соответствии с формулой ( 133) это приводит к вращению плоскости поляризации. [53]
Включение магнитного поля в процессе сварки вызывает возрастание i / A на 3 - 5 В ( показания прибора) и соответственное снижение тока на 50 - 100 А, что объясняется удлинением дуги при ее поперечных колебаниях. В противном случае, повышение V д в момент включения магнитного поля вызывет нарушение стабильности процесса и приведет к временному угасанию дуги, что связано с образованием пор и шлаковых включений. [54]
При включении поля возникает прецессия электронных оболочек вокруг направления магнитного поля - прецессия Лармора. Еще более элементарное описание этого процесса таково: при включении магнитного поля в электронных оболочках атома индуцируются токи, они не затухают, когда поле перестает меняться, так как в атомных контурах отсутствует сопротивление. По известному правилу Ленца направление этих токов таково, что индуцированные магнитные моменты и, следовательно, намагничение противоположны по направлению внешнему полю. [55]
Связь магнитных свойств с орбитальным движением электронов, а не с их спинами была доказана измерениями g - фактора при помощи гиромагнитного эффекта. Кикоин и Губарь [1], а позднее Прай, Летроп и Хаустон [2], наблюдая угловой момент, приобретаемый сферой при включении магнитного поля, обнаружили, что g - фактор близок к единице, как это и следует ожидать для орбитального движения. [56]
![]() |
Схематическое из бражение основных способов термомагнитпой обработки. [57] |
Второй важный фактор ИТМО - время изотермической выдержки в магнитном поле. Временные зависимости свойств показывают, что резкое возрастание Ли и соответственно Вт происходит в первые 3 мин воздействия магнитного поля на распад, задержка включения магнитного поля на минуту приводит к резкому падению магнитных свойств. Отключение магнитного поля на стадии образования тетрагональных фаз и дальнейший распад а - а а а фаз в изотермических условиях в течение последующих 8 - 10 мин без магнитного поля практически не сказываются на свойствах. [58]