Изменение - поверхностный заряд
Cтраница 2
Известно [3, 5], что состояние поверхности полупроводникового материала оказывает определенное влияние на свойства границы раздела кремний-диэлектрик. Используя известный способ изменения поверхностного заряда - адсорбцию на поверхности полупроводника полярных органических соединений, - были проведены вольтфарадные измерения МДП-систем с различной обработкой поверхности исходных пластин кремния. В данном случае в качестве адсорбируемой примеси использовался один из аминов ароматического ряда - анилин, в качестве диэлектрика в МДП-системе - метилтриацетоксисилан. [16]
 |
Схема аэротенка для полной очистки сточных вод. [17] |
Одним из основных условий работы аэротенков является получение бактериального хлопка активного ила, способного к быстрому уплотнению, осаждению и отделению от очищаемой жидкости. Механизм образования этого хлопка некоторые исследователи связывают с изменением поверхностного заряда бактериальной клетки. [18]
Свое влияние оказывает химическая обработка поверхности. В области p - n - перехода осаждается повышенное количество примесей из травителей, что приводит к изменению поверхностного заряда, изменению скорости поверхностной рекомбинации и величины пробивного напряжения. [19]
На обратные токи полупроводникового диода генерация носителей заряда на поверхности оказывает такое же влияние, как и генерация носителей в объеме. Однако обратные токи диода зависят от скорости поверхностной генерации, а скорость поверхностной генерации может изменяться со временем из-за изменения поверхностного заряда. [20]
Многие из хороших льдообразователей ( Agl, РЬЬ, CuS и холестерин) действительно обладают слабой гидрофобностью. Из измерений краевых углов водных растворов на иодиде серебра следует, что гидрофобность и льдообразующая способность изменяются примерно одинаково при изменении поверхностного заряда. Эдварде и Эванс предположили поэтому, что вещество, имеющее близкую ко льду структуру и низкий суммарный поверхностный заряд, может все же не обладать достаточной льдообразующей способностью, если индивидуальные поверхностные его атомы не несут малых зарядов. Гидрофобность же поверхности как раз и указывает на слабую зарядку поверхностных атомов. [21]
 |
Блок-схема установки для измерения эффекта поля.| Держатель для закрепления образца. [22] |
Поскольку поверхностный потенциал определяется зарядом медленных состояний на поверхности, то, зная его величину и знак, можно судить об изменении поверхностного заряда. [23]
Кроме перечисленных выше возможных составляющих поверхностного тока при больших обратных смещениях может возникнуть еще одна, обусловленная развитием ударной ионизации на поверхности р - - перехода. Возникновение ударной ионизации на поверхности приводит к резкому возрастанию обратного тока с увеличением напряжения, наблюдается поверхностный пробой. Это говорит об изменении поверхностного заряда. Поверхность прибора очищается от хемосорбированных молекул, а ширина обедненной области р - - перехода на поверхности приближается к ширине в объеме. Это приводит к увеличению напряжения поверхностного пробоя вплоть до значения, соответствующего объемному пробою. [24]
Влияние освещения было обнаружено на примере роста скорости растекания спиртов и эфиров по поверхности германия, кремния, титана и сурьмы. Эффективное влияние освещения интенсивностью ( 1 - 4) - 104 лк связывают с изменением поверхностного заряда и прогибом зон на поверхности субстрата, приводящими к повышению поверхностной энергии как к предпосылке роста адгезионной способности. При этом наблюдается увеличение движущей силы растекания [ см. выражение ( 4) ] за счет реализации известного механизма формирования адсорбционной пленки перед фронтом растекающейся жидкости. Особый интерес представляет переход к интенсивному ультрафиолетовому освещению ( для полиэтилена оптимум длины волны облучения составляет 350 нм), одновременно способствующему удалению слабых граничных слоев. В ряде случаев мощное освещение способно обеспечить растекание в системах, в которых ранее оно не наблюдалось. [25]
Среди них наиболее широко применяются кондуктометриче-ские полупроводниковые сенсоры на основе оксидов переходных металлов. Принцип действия полупроводниковых сенсоров оксидного типа основан на изменении состояния поверхностной структуры полупроводника вследствие адсорбции газа на его поверхности. Электроны адсорбированных молекул газа взаимодействуют с электронами и дырками в кристаллической решетке, что приводит к изменению поверхностного заряда. При этом общее число поверхностных состояний, которые вносят вклад в формирование поверхностного заряда, зависит от состава и парциального давления компонентов газовой среды, окружающей полупроводник. Изменение поверхностного заряда вызывает изменение сопротивления полупроводника, которое легко измерить. [26]
Изменение обратного тока р-л-псрехода и других параметров приборов приводит к изменению электрических характеристик электронных схем, содержащих полупроводниковые приборы. Дрейф обратного тока зависит от состоянии поверхности и окружающей газовой среды. В вакууме порядка 10 - - 6 - 10 - 7 Па ни на германии, ни на кремнии дрейф не наблюдается независимо от величины обратного тока. При изменении поверхностного заряда приложенным внешним полем в случае образования канала обратный ток возрастает, но дрейф его не наблюдается. Только при очень больших значениях напряжения и нагреве полупроводника наблюдается дрейф тока, причем ток быстро нарастает, что заканчивается тепловым пробоем. [27]
Ранее упоминалось, что на реальной поверхности полупроводника осаждается многослойная пленка влаги и содержится много посторонних примесей, адсорбированных из травителей и промывочной воды. Заметную часть этих примесей составляют положительные ионы щелочных металлов. Под действием напряжения, приложенного к переходу, эти ионы дрейфуют в пленке влаги, создавая ионный ток утечки, величина которого возрастает с увеличением влажности. Перемещение ионов приводит к изменению поверхностного заряда и вызывает нестабильность параметров полупроводниковых приборов. [28]
Среди них наиболее широко применяются кондуктометриче-ские полупроводниковые сенсоры на основе оксидов переходных металлов. Принцип действия полупроводниковых сенсоров оксидного типа основан на изменении состояния поверхностной структуры полупроводника вследствие адсорбции газа на его поверхности. Электроны адсорбированных молекул газа взаимодействуют с электронами и дырками в кристаллической решетке, что приводит к изменению поверхностного заряда. При этом общее число поверхностных состояний, которые вносят вклад в формирование поверхностного заряда, зависит от состава и парциального давления компонентов газовой среды, окружающей полупроводник. Изменение поверхностного заряда вызывает изменение сопротивления полупроводника, которое легко измерить. [29]
Зависимость отрицательного заряда шабазита от концентрации соли и природы иона определяется следующими двумя причинами. Ионные пары ( М Х -) соли могут адсорбироваться на гидроксиль-ных группах поверхности цеолита. Поверхностный отрицательный заряд обусловлен предпочтительной адсорбцией более поляризуемого аниона на положительном конце диполя гидроксила. Рост поверхностного заряда с увеличением концентрации является результатом увеличения величины адсорбции. Различная адсорбционная способность аниона приводит к изменениям поверхностного заряда для солей одного и того же валентного типа. [30]
Страницы: 1 2 3