Cтраница 1
Обратное включение диода характеризуется практически полным отсутствием тока при достаточно большом обратном напряжении; иными словами, диод при обратном включении имеет очень большое сопротивление. [1]
![]() |
Схема 1-го разряда ЦАП с транзисторным ключом. [2] |
Обратное включение диода связи происходит медленнее, так как после запирания управляющего диода необходимо время, пока вследствие зарядки паразитных емкостей разрядным током напряжение на диоде связи достигнет отпирающего уровня. Это запаздывание особенно заметно в цепях младших разрядов. [3]
![]() |
Вольт-амперная характеристика диода. [4] |
При обратном включении диода на границе p - n - перехода образуется изоляционный слой. Этот обедненный свободными носителями зарядов пограничный слой играет роль изолятора между проводящими р - и n - зонами кристалла. Фактически диод в этом случае представляет конденсатор, причем ширина изоляционного слоя такого конденсатора зависит от приложенного к диоду напряжения. Чем больше приложенное обратное напряжение, тем большей становится толщина изоляционного слоя конденсатора, а следовательно, уменьшается его емкость. [5]
![]() |
Зависимость барьерной ем - [ IMAGE ] Эквивалентная схема кости диода Д901А от величины об - диода. [6] |
При обратном включении диода емкость р-п перехода шунтирует большое обратное сопротивление перехода, что приводит к ухудшению его частотной характеристики. [7]
Давно известны однотактные преобразователи с обратным включением диода. [8]
Анализ переходных процессов в схеме с обратным включением диода проводится аналогично. [9]
![]() |
Последовательные ограничители со смещением. а, в схемы. б, г графики, поясняющие их работу. [10] |
Аналогично работает последовательная схема диодного ограничителя с обратным включением диода. [11]
Емкость р-п перехода существует при прямом и при обратном включении диода. [12]
Определить напряжение на диоде и резисторе нагрузки сопротивлением гн 100 кОм при обратном включении диода ( рис. 96, а), если ток диода ЮмкА, а ( Упит 80 В. [13]
Для воспроизведения линейно-ломаных зависимостей в I и II квадрантах используется аналогичная схема с обратным включением диода и опорным напряжением. [14]
Элемент И для отрицательных входных сигналов ( рис. П-19, t отличается от предыдущего обратным включением диодов. [15]