Микрокристаллическое включение

Cтраница 1

Дополнительные доказательства накопления микрокристаллических включений на границе раздела были получены в нашей лаборатории Г. Ф. Романовой и Р. И. Марченко с помощью масс-спек-трометрического метода анализа пиков ионно-ионной эмиссии. Первое связано с более трудным характером распыления упорядоченной фазы, а всплески примесных пиков - со свойством этого элемента накапливаться на границе раздела с кремнием. Микрофотографии примыкающей к границе раздела области окисла при стравливании окисла на клин подтверждают наличие ступенчатого рельефа оставшегося окисного слоя и характерных дефектов окисла вблизи границы раздела. [1]

Увеличение N ( s обусловлено как фазовыми переходами ( а Р) для микрокристаллических включений кремнезема ( см. гл. В последующем атомы натрия образуют комплексы с дефектами переходного слоя или окисла, которые, как известно, дают весьма эффективные центры. Поскольку атомы натрия могут диффундировать главным образом через так называемые пинголы - различные сплошные или тупиковые микропоры в окисле, то эта стадия термоотжига, как показывает опыт, связана с дефектностью окисла, его толщиной и сопровождается сильным увеличением гетерогенности поверхности и ослаблением пробивных характеристик окисла. Возможно также перераспределение натрия на самой границе Si - SiO2 из-за изменения структуры окисла. Как показывают данные МСВИ, такое перераспределение отжигов появляется при Т 600 С ( см. гл. [2]

Для всех исследованных составов в системе As-Se-Ga, как стеклообразных, так и стеклообразных с намечающейся кристаллической фазой, получена удовлетворительная воспроизводимость электропроводности, что свидетельствует о блокировании микрокристаллических включений в стеклах. Введение галлия в стеклообразные селениды мышьяка приводит к увеличению электропроводности на 2 - 3 порядка. Причем, так же как и при введении бора, повышение электропроводности на 2 - 3 порядка происходит при первых добавках галлия ( Gao. [3]

Линия с g2 обусловлена изолированными ионами Мп2 в других узлах, на концах цепей, а также парами и группами из нескольких ионов Мп2 и ионами Мн2 н различных микрокристаллических включениях, представляющих собой соединения Мп с исходными стеклообразующими материалами. [4]

Таким образом, в аморфной системе, содержащей микрокристаллиты, прогрев может как увеличивать количество дефектов ( особенно для достаточно крупных кристаллитов), так и уменьшать их путем снятия напряжений матрицы, отжига возникших разорванных связей и вытеснения микрокристаллитов в менее плотные или полостные участки границы раздела и поверхности. В этом смысле системы Si - SiO2 будут тем более термостабильны, чем больше они аморфны и чем меньше содержат микрокристаллических включений. Действительно, в системах, приготовленных по HCl-технологии, не обнаружено микрокристаллитов. [5]

Более пристальное изучение структурных особенностей окисных пленок кремния показало, однако, что эти пленки характеризуются специфическим толщинным распределением физических свойств. В частности, метод MCJ3H показал существование переходных слоев ( порядка ( 1 - 5) 102 А) вблизи границы раздела Si - SiO2, физические параметры которых сильно отличаются от объемных. Этим методом в сочетании с электронной дифракцией была показана склонность микрокристаллических включений окисла концентрироваться в упомянутой переходной области окисла. Рядом авторов показано, что и в толще окисел имеет довольно сложную субкристаллическую структуру. [6]

Толщинное распределение добавочного кислорода ( /, интенсивности фона Галло ( 2 и количества ямок травления, отражающих поверхностные дефекты ( 3, после снятия окисного слоя. [7]

Более однозначные доказательства наличия переходного слоя кремния были получены методом электронной дифракции. Как показал эксперимент, после стравливания окисла на поверхности ( особенно многократно окисленной), как правило, наблюдался довольно интенсивный фон Галло; несколько размытых колец, типичных для очень мелкодисперсного поликристаллического состояния; расщепленные линии Кикучи. Основные кольца были наиболее близки к предсказываемым для кристаллической модификации р-кристоболита, некоторые - к кремниевым. Наличие микрокристаллических включений ( в том числе и р-кристоболита) в окисном слое, установленное в работах [522, 630], по нашему мнению, обусловлено возможной концентрацией субкристаллической фазы окисла на границе раздела с кремнием. [8]

Страницы: 1