Прямое включение
Cтраница 2
При прямом включении ( плюсом на металл, минусом на полупроводник) высота потенциального барьера снижается, сопротивление образованного слоя уменьшается и через него электроны основные носители для полупроводника) переходят в металл. Так как при этом инжекции дырок из металла в полупроводник не происходит, прямой ток обусловлен движением только основных носителей заряда полупроводника. [16]
При прямом включении дрейфовая составляющая тока пренебрежимо мала по сравнению с диффузионной. Это объясняется низкой концентрацией неосновных носителей заряда и уменьшением результирующей напряженности электрического поля, обусловливающих дрейфовый ток. [17]
При прямом включении диода через p - n - переход пойдет прямой ток, состоящий из двух составляющих - электронной и дырочной. Чем больший ток проходит через р-а-переход, тем с большим запасом выполняется условие инверсии. Минимальный ток, при котором преимущественно происходит вынужденное излучение, называют пороговым током. [18]
При прямом включении р-п-перехода прямой ток состоит из двух составляющих - электронной и дырочной. Чем больший ток проходит через р-тг-переход, тем с большим запасом выполняется условие инверсной населенности. Минимальный ток, при котором происходит преимущественно вынужденная рекомбинация, называют пороговым током. [19]
 |
Прямое включение р-п перехода. [20] |
При прямом включении перехода напряжение батареи вычитается из разности потенциалов и потенциальный барьер между р - и - областью уменьшается. Следовательно, уменьшаются электрические силы, препятствовавшие диффузии носителей заряда через р - п переход, и диффузионный ток возрастает с увеличением прямого смещения. [21]
 |
Вольт-амперная характеристика мого, поэтому на р-п перехода ( сплошная линия и реаль - для положительных И отри-ного диода ( пунктирная линия дательных токов взят раз. [22] |
При прямом включении диода ток через него возрастает с напряжением слабее, чем для р-п перехода. Объясняется это тем, что в диодах последовательно с р-п переходом включено сопротивление объема полупроводникового материала, падение напряжения на котором тем больше, чем больше ток через диод. [23]
При прямом включении диода уже при небольших положительных напряжениях основные носители зарядов под действием внешнего поля устремляются через туннели, обусловливая резкое увеличение тока - первая восходящая ветвь. При напряжении Un туннельный ток достигает максимума вследствие насыщения туннелей. Если увеличивать напряжение дальше плотность туннельного тока становится настолько велика, что часть электронов вытесняется из туннелей и попадает под действие сильного поля р-п-перехода, которое направлено навстречу внешнему полю. В этом поле электроны меняют направление движения и, разгоняясь, вызывают лйвинный процесс размножения зарядов. Туннельные диоды обладают очень высоким быстродействием, благодаря чему получили широкое распространение в устройствах вычислительной техники. [24]
При прямом включении череэ него проходит большой прямой ток, при обратном включении - незначительный обратный ток. Важно отметить, что обратный ток р-п-пере-хода практически определяется собственной электропроводностью-полупроводника, которая, как отмечалось, сильно зависит от температуры. Поэтому и величина обратного тока / 7-л-перехода резко изменяется при изменении температуры среды, окружающей полупроводниковый кристалл, возрастая, например, в германиевых полупроводниках примерно в два раза при повышении температуры на каждые 10 С. [25]
При прямом включении р-м-перехода прямой ток состоит из двух составляющих: электронной и дырочной. Чем больший ток проходит через р-я-переход, тем с большим запасом выполняется условие инверсной населенности. Минимальный ток, при котором происходит преимущественно вынужденная рекомбинация, называют пороговым током. [26]
При прямом включении р-п-перехода прямой ток состоит из двух составляющих: электронной и дырочной. Чем больший ток проходит через р - / г-переход, тем с большим запасом выполняется условие инверсной населенности. Минимальный ток, при котором происходит преимущественно вынужденная рекомбинация, называют пороговым током. [27]
Двигатели допускают прямое включение в сеть. Если не требуются чистые пуски механизмов, регулирование скорости вращения и не ставятся особые ограничения пускового тока, целесообразно применять более дешевые и надежные короткозамкнутые двигатели. [28]
 |
Величины испытательного напряжения для приборов. [29] |
Для приборов прямого включения испытательное напряжение выбирается в зависимости от пределов номинального напряжения сети. Отклонение стрелки испытуемого прибора даже до упора, появление искрения и шума, дрожание стрелки не являются признаками плохой изоляции. Пробой изоляции фиксируется по контрольному вольтметру при падении показаний до нуля. [30]
Страницы: 1 2 3 4