Cтраница 3
Очевидно, что первый метод применяется, когда образовавшиеся атомы элемента, подлежащего определению, находятся в вакууме, а второй - когда в качестве атомизатора используются пламена. В последнем случае для измерения изменения импеданса среды ее помещают в электрическое поле. [31]
Мост питается переменным током частотой 50 гц и напряжением 6 3 в от имеющегося в усилителе понижающего трансформатора. Напряжение разбаланса, возникающее при изменении импедансов Z4 и Z2 катушек, повышается усилителем УЭ-109, который управляет реверсивным двигателем РД-09, вращающим движок реохорда, и, таким образом, восстанавливается равновесие моста. [32]
![]() |
Схема прибора для измерения толщины пленки воды емкостным методом ( а и сравнительные характеристики двух типов датчиков ( б ( разработаны. [33] |
Измерение толщин пленок осуществляется электрическими методами с помощью поверхностных датчиков. Электрические методы, основанные на измерении изменений импеданса датчика, разделяются на две группы: 1) емкостные J34 ], с помощью которых производятся измерения малых изменений реактивной составляющей импеданса датчика, обусловленных наличием пленки; 2) Методы электрической проводимости, в основе которых лежит измерение активной составляющей сопротивления пленки. Электрические методы выгодно отличаются от других методов измерения тем, что датчик, установленный в стенке канала, не возмущает пленку, а электрическая аппаратура позволяет регистрировать волновые процессы. [34]
![]() |
Схема трансформаторного моста с регулировкой числа витков в одном тая плеч. [35] |
Поэтому в тех случаях, когда возможно изменение импеданса во времени или при необходимости автоматической записи составляющих импеданса, используются приборы, которые носят название фазочувствительных вольтметров, или векторметров. [36]
В теории обратной связи эта величина играет очень важную роль, так как она является не только мерой уменьшения чувствительности системы, но и мерой уменьшения коэффициента усиления. В более широком смысле обратная разность служит мерой изменения импеданса, вызываемого введением обратной связи, а также мерой ослабления влияния паразитных сигналов, поступающих в систему в различных ее точках, помимо основного входа. [37]
При добавлении KCNS и желатины i0 значительно снижается без изменения импеданса диффузии ( Дд Нф - Rn 1 / о. [39]
У - приращение напряжения на указателе равновесия и AZ2 - изменение импеданса регулирумого плеча относительно его значения при равновесии. [40]
![]() |
Изменение амплитуды сигнала на выходе преобразователя при контроле сотовой панели. [41] |
Упругое сопротивление Хк контактной гибкости уменьшает чувствительность совмещенного преобразователя к изменению импеданса изделия. [42]
![]() |
Изменение амплитуды сигнала на выходе преобразователя при контроле сотовой панели. [43] |
Упругое сопротивление Хк контактной гибкости уменьшает чувствительность совмещенного преобразователя к изменению импеданса изделия. Влияние Хк существенно только при контроле изделий с жесткими внутренними элементами, когда значения ZK и ZH соизмеримы. [44]
Отслоившаяся сетчатка, по-видимому, представляется хорошим аналогом тонкой пластинки ( см. разд. Кроме того, экстраполяция спектра показывает наличие интерференционного минимума на нулевой частоте, что подразумевает разные знаки изменения импеданса на границах раздела ( см. разд. [45]