Изменение - интенсивность - люминесценция
Cтраница 1
Изменение интенсивности люминесценции при этом должно компенсироваться до избранного начального уровня освещенности приемника света соответствующим поворотом одной из поляризационных призм. Постоянство уровня освещенности контролируется электроизмерительным прибором ( см. подробнее § 5 гл. [1]
Изучив зависимость изменения интенсивности люминесценции от времени, можно зо экспериментально найти т - одну из важнейших характеристик люминофора. [2]
 |
Зависимость интенсивности радикалолюминесценции СаО 5Ь С1 - фосфора от плотности атомов азота в интервале давлений от 0 007 до 0 290 тор при температуре 400 К. [3] |
На симбатность изменения интенсивности люминесценции фосфоров при возбуждении атомарным водородом указывается также в работе Г. Н. Рохлина и др. [183], а при возбуждении атомарным азотом - в работе К. Если концентрация атомарного азота пропорциональна мощности разряда ( для водорода такая пропорциональность установлена в [171]), то результаты этих опытов можно трактовать как установление линейной зависимости между интенсивностью свечения и парциальным давлением атомарного азота. [4]
Однако этот закон изменения интенсивности люминесценции ( с течением времени) не соблюдается, так как начало рекомбинации несколько отстает от начала возбуждения; в частности, некоторые электроны, находящиеся в зоне проводимости, могут попасть в потенциальные ямы ( на метастабильные уровни) и продолжительное время не будут участвовать в рекомбинационных процессах. [5]
Метод основан на изменении интенсивности желтовато-зеленой люминесценции раствора, образующейся в результате взаимодействия иона бериллия с морином. Люминесценция растворов возбуждается ультрафиолетовым излучением ртутно-кварцевой лампы. [6]
Таким образом, регистрируя изменение интенсивности люминесценции, получаем картину распределения давления на поверхности пье-зоматериала. Влиянием напряженности электрического поля соседних кристаллитов на данную молекулу можно пренебречь, так как размеры молекул ( например, эритрозина, родамина и др.) находятся в пределах от 5 до 1 5 А, а минимальное расстояние между кристаллитами составляет порядка 1 мкм. Временное разрешение данного способа определяется размерами кристаллитов и скоростью распространения в них упругой волны. [7]
При работе следует использовать как изменения интенсивности люминесценции, так и наблюдения цвета свечения. [9]
При облучении ультрафиолетовым светом происходит изменение интенсивности люминесценции бензоиновых соединений, причем, как правило, наблюдается уменьшение разности интенсивно-стей свечения пустой пробы и бензоинового комплекса. [10]
Таким образом, наложение поля должно вызвать изменение интенсивности люминесценции. При перемене направления поля ослабление свечения должно смениться усилением или наоборот. [11]
Таким образом, наложение поля должно вызвать изменение интенсивности люминесценции. При перемене направления поля ослабление свечения должно смениться усилением или наоборот. [12]
 |
Смещение уровня Ферми на поверхности кристалла под влиянием внешнего электрического поля. [13] |
Таким образом, наложение поля должно вызывать изменение интенсивности люминесценции. При перемене направления поля ослабление свечения должно сменяться его усилением или наоборот. [14]
Изложенная теория в ряде случаев может служить основой для объяснения изменений интенсивности люминесценции, происходящих под действием газообразных и жидких сред, с которыми крис-таллофосфор приводится в соприкосновение. Так, если искривление зон вызывает опустошение уровней центров свечения, лежащих в приповерхностном слое, и если толщина этого слоя составляет достаточно большую долю от общей толщины кристалла или диаметра зерна, то концентрация центров свечения, способных принять участие в люминесценции, может существенно уменьшиться. С другой стороны, опустошение уровней глубоких доноров может превратить их в центры тушения. [15]
Страницы: 1 2