Cтраница 1
Упрочнение границ двойниковых включений влияет в том же направлении. В [36] приведена схема, иллюстрирующая упругую аккомодацию на контакте между монокристаллом кальцита и стеклянной линзой в том месте, где появляется упругий двойник. Видно, что с увеличением толщины двойникового включения резко увеличивается объем смятого материала. В монокристаллах ничто не препятствует утолщению пластинчатых двойниковых включений, кроме процессов на их границах с материнским крио талдам, приводящих к упрочнению. [1]
При деформации полисинтетического двойникового включения одновременно с увеличением толщины пакета двойниковых включений происходит уменьшение толщины промежуточных прослоек материнского кристалла. При этом обнаружено, что при постоянной нагрузке скорость уменьшения толщины прослоек, начиная с некоторого их значения, резко возрастает. По-видимому, с уменьшением толщины прослойки сопротивление двойникованию снижается. [2]
Общая нагрузка невелика, однако в кристалле имеется двойниковое включение, которое увеличивается при повышении нагрузки и уменьшается с ее понижением. [3]
При деформации полисинтетического двойникового включения одновременно с увеличением толщины пакета двойниковых включений происходит уменьшение толщины промежуточных прослоек материнского кристалла. При этом обнаружено, что при постоянной нагрузке скорость уменьшения толщины прослоек, начиная с некоторого их значения, резко возрастает. По-видимому, с уменьшением толщины прослойки сопротивление двойникованию снижается. [4]
Утолщение происходит под действием напряжения сдвига, распределенного по пограничной поверхности двойникового включения. В полисинтетическом пакете утолщение двойниковых прослоек связано с соответствующим уменьшением толщины прослоек материнского кристалла. Такое утолщение может быть легко доведено до полного устранения прослоек материнского кристалла и образования весьма толстых прослоек двойника. [5]
Было показано, что при небольших напряжениях и комнатной температуре возможна ползучесть, т.е. утолщение двойникового включения с постоянной скоростью при постоянной нагрузке. Такое состояние получается как при ступенчатом, так и при плавном повышении нагрузки до определенного уровня. [6]
Для опытов подобного рода были вычислены компоненты тензора напряжений в материнской и двойников энной областях образца и определены значения касательных напряжений, соответствующие переходу из первой стадии двойникования во вторую ( ст /), из второй в третью ( о / /) и из третьей в четвертую ( от / / /) - Результаты этих опытов показали, что ai / am 8 [38], т.е. сопротивление механическому двойникованию монокристалла на порядок величины превышает сопротивление механическому двойникованию кристалла, содержащего двойниковое включение. [7]
При статическом растяжении в жидком азоте до разрушения двойникования в образцах второй партии не обнаружено; в тех же условиях в образцах третьей партии на границах зерен, как правило, возникают двойники, При хрупком разрушении в образцах первой и второй партий двойниковые включения не обнаружены, в образцах третьей партии, как правило, двойниковые включения в крупных зернах имеются в больших количествах, преимущественно вблизи контактов с мелкими зернами. Внутри мелких зерен двойниковых включений не обнаружено. По-видимому, в таких зернах невозможно создать неоднородного распределения напряжений. Замечено также, что в тех местах, где трещина или двойниковая прослойка доходит до границы зерен, возникают зародыши двойникования в соседнем зерне даже при значительном угле разориентации плоскостей двойникования смежных зерен. [8]
Толщина первоначально образующегося стойкого двойникового включения мало отличается от толщины упругого двойника, из которого возникает прослойка, Полисинтетический двойник состоящий из пакета устойчивых двойниковых прослоек, образуется при завершении второй стадии развития пакета упругих двойников. Каждая устойчивая прослойка происходит из своего упругого двойника. [9]
Дальнейшее увеличение нагрузки приводит к переходу ко второй стадии. Рядом с упруго сжатой частью образца возникает упругий двойник, из которого образуется при дальнейшем повышении нагрузки тонкая пластина двойникового включения, т.е. завершается вторая стадия двойни-кования. Продолжая этот процесс, можно получить полисинтетический двойник, представляющий собой ряд пластинчатых двойниковых включений, разделенных пластинами материнского кристалла. Толщина каждой из этих пластин примерно равно ширине зоны упругой аккомодации, которая в свою очередь зависит от твердости кристалла и толкателя, угла поворота поверхности при двойниковании, угла наклона поверхности толкателя, сосредоточенной нагрузки, вызывающей переход от первой стадии ко. [10]
Четвертая стадия двоиникования широко изучалась не только качественно, но и количественно. Эта стадия определяет механические свойства кристаллических материалов. Детальное изучение механических свойств двойниковых включений в кальците на четвертой стадии [67] показало, что механические свойства единичной двойниковой прослойки подобны аналогичным свойствам моно - и поликристаллических материалов. [11]
Упрочнение границ двойниковых включений влияет в том же направлении. В [36] приведена схема, иллюстрирующая упругую аккомодацию на контакте между монокристаллом кальцита и стеклянной линзой в том месте, где появляется упругий двойник. Видно, что с увеличением толщины двойникового включения резко увеличивается объем смятого материала. В монокристаллах ничто не препятствует утолщению пластинчатых двойниковых включений, кроме процессов на их границах с материнским крио талдам, приводящих к упрочнению. [12]
Дальнейшее увеличение нагрузки приводит к переходу ко второй стадии. Рядом с упруго сжатой частью образца возникает упругий двойник, из которого образуется при дальнейшем повышении нагрузки тонкая пластина двойникового включения, т.е. завершается вторая стадия двойни-кования. Продолжая этот процесс, можно получить полисинтетический двойник, представляющий собой ряд пластинчатых двойниковых включений, разделенных пластинами материнского кристалла. Толщина каждой из этих пластин примерно равно ширине зоны упругой аккомодации, которая в свою очередь зависит от твердости кристалла и толкателя, угла поворота поверхности при двойниковании, угла наклона поверхности толкателя, сосредоточенной нагрузки, вызывающей переход от первой стадии ко. [13]
Упрочнение границ двойниковых включений влияет в том же направлении. В [36] приведена схема, иллюстрирующая упругую аккомодацию на контакте между монокристаллом кальцита и стеклянной линзой в том месте, где появляется упругий двойник. Видно, что с увеличением толщины двойникового включения резко увеличивается объем смятого материала. В монокристаллах ничто не препятствует утолщению пластинчатых двойниковых включений, кроме процессов на их границах с материнским крио талдам, приводящих к упрочнению. [14]