Диодное включение - транзистор
Cтраница 1
Диодное включение транзистора ( обычно п-р-п-тк - па) достигается при выполнении внутрисхемных металлизации, проводимых после формирования всех элементов ИМС. На рис. 2.28 приведены пять схем включения биполярного транзистора в качестве диода. В первом случае в качестве диода ( схема а) используется коллекторный р-и-переход транзистора. Такой диод имеет относительно большое пробивное напряжение ( до 50 В), но характеризуется невысоким быстродействием. Для диодов схемы в и д пробивное напряжение одинаково с диодом схемы б, а для г-с я. [1]
Рассмотрим диодное включение транзистора, изолированного p - n - переходом. Подложка подключается к самому низкому потенциалу. Поэтому переход коллектор-подложка всегда будет заперт. Такой диод отличается наличием третьего электрода - подложки, в цепи которого могут течь значительные токи. [2]
 |
Схема дмодно-транзисторного элемента в микроэлектронном исполнении. [3] |
Выбираем схему диодного включения транзисторов. [4]
Почему для схемы диодного включения транзистора ( / к О, рис. 3.15) при прямом токе характерен режим насыщения, хотя внешнее напряжение на коллекторный переход не подается. [5]
 |
Распределения неосновных носителей заряда для различных диодных схем включения интегрального транзистора. [6] |
Быстродействие полупроводниковых ИМС в значительной степени определяется паразитной емкостью элементов, поэтому для каждого из вариантов диодного включения транзистора необходимо знать значения паразитных емкостей. На рис. 2.21 показаны емкости, действующие в пяти рассматриваемых вариантах диодного включения. Поскольку подложка ИМС обычно соединена с точкой самого низкого потенциала, вывод емкости перехода коллектор - подложка оказывается заземленным по высокой частоте. [7]
 |
К выбору тока смещения в ячейке ДТЛ.| Ячейка ТТЛ. [8] |
Чтобы поддерживать этот ток в течение большего времени, выбирают диоды смещения с большим зарядом переключения. В интегральных схемах такие диоды получают при диодном включении транзистора с разомкнутым коллектором. [9]
Для создания диода нужно сформировать один р-п-переход. Но в биполярных ИМС основной структурой является транзисторная, поэтому диоды получают путем диодного включения транзисторов. На рисунке обозначены подложки П, пунктиром показаны паразитные емкости, барьерные Сэбар и Скбцр между соответствующими p - n - переходами, а также мзжду коллектором и подложкой Скп. [10]
Для создания диода нужно сформировать один р-п-пере-ход. Но в биполярных ИМС основной структурой является транзисторная, поэтому диоды получают путем диодного включения транзисторов. [11]
На рис. 3.17, а, б изображены прямые ветви ВАХ для рассмотренных схем диодного включения транзистора. [12]
 |
Варианты использования транзисторов в качестве диодов.| Стабилитрон из двух диодов для температурной компенсации. [13] |
Возможны пять вариантов диодного включения транзистора. Они показаны на рис. 9 - 11 и несколько отличаются друг от друга по своим параметрам. В варианте БК - Э замкнуты накоротко база и коллектор. В варианте Б - Э используется только эмиттерный переход. [14]
Диоды широко применяются в цифровых и аналоговых ИС. Их реализуют на основе тех же диффузионных или эпитаксиальных слоев и р-п переходов, что и биполярные транзисторы. При этом в зависимости от того, какая часть одной и той же транзисторной структуры используется, получают диоды с различными характеристиками. Схемы пяти вариантов диодного включения транзисторов показаны на рис. 9.5. Диодное включение интегрального транзистора достигается металлизацией внутрисхемных соединений при формировании элементов КС. Диодная схема / образована закорачиванием коллектора и базы, рабочим является эмиттерньш переход; в схеме 2 база соединена с эмиттером и диод состоит из коллекторного перехода; в схеме 3 закорочены эмиттер и коллектор, рабочими являются и коллекторный и эмиттерньш переходы; в схеме 4 работает только эмиттерньш переход, а коллектор изолирован, в схеме 5, наоборот, рабочим является коллекторный переход. Каждая из пяти диодных схем обладает различными статическими и динамическими параметрами. [15]
Страницы: 1 2