Инверсное включение

Cтраница 1

Инверсное включение находит практическое применение в ключевых схемах ( см. § 1 - 4) на малые переключаемые токи. Остаточный ток запертого инверсно включенного транзистора в десятки и сотни раз меньше, чем при обычном включении. [1]

Поскольку инверсное включение освещено в литературе недостаточно полно, ему посвящается специальный параграф. [2]

Необходимость инверсного включения объяснена ниже. [3]

Для инверсного включения нужно заменить гэъ на гкк и поменять индекс при коэффициенте р Очевидно, что оптимальный ток при инверсном включении будет меньше, чем при прямом. Заметим, что формула ( 14 - 22) является весьма приближенной, так как при ее выводе не учитывались зависимость р ( / 6), а также особенности высокого уровня инжекции. [4]

Характеристики / к / ( U3. 6, 1к. э и / б / ( 11э б, UK. 3.| Ключевые характеристики транзистора.| Схема замещения транзистора, работающего в ключевом режиме. [5]

Для инверсного включения начальная область характеристик имеет тот же вид и отличается лишь масштабом по осям. [6]

Схемы ключевых устройств с закорачиванием невыбранных каналов. а - принципиальная. б - эквивалентная. [7]

При инверсном включении достигаются наименьшие величины так называемых остаточных параметров ключевых транзисторов: в режиме насыщения ( замыкания) напряжение между эмиттером и коллектором составляет несколько милливольт, а в режиме запирания ( размыкания) при подаче на базу потенциала, положительного относительно коллектора и эмиттера, ток эмиттера не превышает нескольких микроампер. [8]

Области режима транзистора. [9]

В инверсном включении эмиттер выполняет роль коллектора, а коллектор - эмиттера. [10]

В случае инверсного включения в выражении ( 4 - 1296) следует умножить правую часть на отношение эффективных площадей эмиттера и коллектора, поскольку в реальных дрейфовых транзисторах ( см. рис. 4 - 36) значительная часть инжектированных коллектором носителей не попадает на эмиттер. [11]

Однако в инверсном включении для многих транзисторов приходится резко снижать напряжение источника питания об-ратносмещенного ( в данном случае эмиттерного) перехода. Эмиттерный переход пробивается при значительно меньших напряжениях, чем коллекторный. U бз ( обратное напряжение) равно 0 5 - 1 5 в. Практически использование таких транзисторов для переключения в инверсном включении не может быть рекомендовано. [12]

Поскольку в режиме инверсного включения траектории неосновных носителей, движущихся от коллектора к эмиттеру, в среднем больше, чем толщина базы, то для вычисления инверсных параметров можно использовать формулы, предназначенные для расчета прямых параметров. [13]

Ключ с составным транзистором.| Составной ключ с нагрузочным транзистором VT2. [14]

VTi оказывается в инверсном включении. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5