Изменение - концентрация - неосновной носитель
Cтраница 1
Изменение концентраций неосновных носителей на границах р - и - областей триода приводит, как известно ( § 58), к появлению диффузионных потоков носителей, полностью затухающих вследствие рекомбинации только на расстоянии, равном нескольким диффузионным длинам. [1]
Рассмотрим теперь изменение концентрации неосновных носителей во времени вдоль базовой области. На рис. 10.15 а и в показано рассасывание неосновных носителей соответственно для двух случаев: когда первым восстанавливается коллекторный переход и когда первым восстанавливается эмиттерный переход. Заметим, что граничные условия дважды изменяются на протяжении процесса выключения в каждом из двух основных вариантов. Мы увидим, что при каждом изменении граничных условий постоянная времени также изменяется. [2]
Легко установить закон изменения концентрации неосновных носителей по мере перемещения от р-п перехода. [3]
В таких условиях температурная зависимость RH определяется изменением концентрации неосновных носителей. Далее, щ изменяется как ехр ( - & E / 2kT), но р, определяемое в основном величиной NJ. [4]
В рассматриваемой модели p - n - перехода предполагается, что изменение концентрации неосновных носителей в областях за границами перехода при небольшом прямом напряжении не нарушает электрическую нейтральность этих областей Это объясняется быстрой ( за время диэлектрической релаксации) нейтрализацией заряда инжектированных неосновных носителей основными носителями, поступающими из внешней цепи. Предположим, что толщины нейтральных областей много больше диффузионной длины неосновных носителей в этих областях. Физические процессы при прямом напряжении p - n - перехода поясняет рис. 2.7. На рис 2.7, а показаны направления движения основных носителей создающих прямой ток. Перемещение этих носителей через p - n - переход приводит к инжекции избыточных неосновных носителей - электронов в нейтральную р-область, а дырок в - область. [5]
Решив уравнение ( 9 - 113), можно получить закон изменения концентрации неосновных носителей вдоль координаты х; отсчитываемой от области образования неравновесной концентрации. [6]
 |
Переходные процессы в диоде при высоком уровне инжекциц. [7] |
На рис. 11 - 9 помимо осциллограмм токов и напряжений показаны также кривые - изменения концентрации неосновных носителей в базе для различных моментов времени. [8]
Однако в области истощения примеси всестороннее сжатие может изменить общую концентрацию частиц только на удвоенное изменение концентрации неосновных носителей заряда, поэтому тензо-сопротивление проявится слабо. В действительности же в целом ряде случаев тензосопротивление проявляется значительно сильнее, что может быть объяснено только сложной структурой зон энергии. [9]
Однако в области истощения примеси всестороннее сжатие может изменить общую концентрацию частиц только на удвоенное изменение концентрации неосновных носителей заряда, поэтому тензосо-противление проявится слабо. В действительности же в целом ряде случаев тензосопротивление проявляется значительно сильнее, что может быть объяснено только сложной структурой зон энергии. [10]
Для измерения емкости поступают следующим образом: либо на затвор кроме постоянного напряжения подается небольшое переменное напряжение, либо напряжение на затворе медленно меняется ( сканируется), при этом измеряют ток через конденсатор. Так как механизмом изменения концентрации неосновных носителей заряда ( в нашем случае - электронов) является тепловая генерация, то они не могут откликаться на переменное напряжение высокой частоты. В этом случае, который иллюстрируют две кривые иа рис. 4, измеряемая емкость не имеет минимума. Установившаяся емкость наблюдается при использовании низкочастотного переменного напряжения, при медленном сканировании напряжения на затворе или при измерениях на полевом транзисторе, в котором неосновные носители поставляются контактами истока и стока. Отмечалось [562], что для образования равновесного обогащенного или инверсионного слоя при низких температурах может понадобиться достаточно большое время. [11]
Этот процесс связан с диффузией свободных носителей зарядов через р-п-переход из области, где они являются основными них концентрация велика, в область, где они являются неосновными и концентрация их незначительна. Интенсивная инжекция основных носителей зарядов в область, где они оказываются неосновными, приводит к изменению концентрации неосновных носителей зарядов. [12]
Страницы: 1