Изменение - электронная концентрация
Cтраница 1
Изменение электронной концентрации ( число электронов, приходящихся на один атом или на единицу объема) при изменении номера группы в периодической системе определяет закономерную смену кристаллических структур. Так, щелочные металлы кристаллизуются в ОЦК-решетке, щелочноземельные металлы ( кроме Ва) и металлы группы Zn - в ГПУ-решетке, А1 и металлы, группы Си - в ГЦК-решетке. Эти три структуры характерны и для других переходных металлов. [1]
На рис. 107 показана зависимость изменения электронной концентрации во времени, полученная с помощью описанного выше интерферометра. [2]
В последующем обсуждении предполагается, что единственным результатом легирования является изменение электронной концентрации. [3]
Па рис. 2 и 3 в качество иллюстрации приведены результаты эксперимента, в котором по данным голограмм получена информация о динамике расширения плазмы и об изменении электронной концентрации в iioii при оптическом нроиое в воздухе. Из этих данных видно, что в основном плазма расширяется навстречу лазерному излучению. [4]
Фактор относительной валентности определяется разностью валентностей компонентов и играет важную роль при дальнейшем рассмотрении вопросов образования и устойчивости электронных соединений. Этот фактор обсуждается на основе рассмотрения изменения электронной концентрации в пределах зоны Бриллюэ-на данной кристаллической решетки. Несмотря на то что образование и устойчивость фаз Лавеса определяются главным образом размерным фактором, в целом ряде случаев наряду с ним играет роль и электронный фактор [8, 24, 68], влияние которого будет обсуждаться ниже. [5]
Фактор относительной валентности определяется разностью валентностей компонентов и играет важную роль при дальнейшем рассмотрении вопросов образования и устойчивости электронных соединений. Этот фактор обсуждается на основе рассмотрения изменения электронной концентрации в пределах зоны Бриллюэ-на данной кристаллической решетки. Несмотря на то что образование и устойчивость фаз Лавеса определяются главным образом размерным фактором, в целом ряде случаев наряду с ним играет роль и электронный фактор [8, 24, 68], влияние которого будет обсужг даться ниже. [6]
В связи с этим представляет интерес построение трехмерной модели рассеяния радиоволн на нестационарных ионосферных возмущениях, создаваемых запусками КА и мощными взрывами. Предполагается, что амплитуда ионосферного возмущения, создаваемого ударной волной, превосходит величину изменения регулярной электронной концентрации ионосферы на расстоянии порядка толщины фронта ударной волны. [7]
Например, путем приве-дения измеренных интенсивностей линий к выбранным стандарт-ным значениям Т и рв ( 5500РК я ЫО 4 ат) были совмещены гр а - - ауйрбвочные графики для определения шести элементо. Было показано, что для аналитических ли-ний труднойонизуемых элементов наиболее существен учет изменения температуры, а для линий легкоионизуемых элементов более важен учет изменения электронной концентрации. [8]
В противоположность выражению для комплексной проницаемости (1.20), они уже не требуют условия медленного изменения свойств среды за период колебаний поля. Заканчивая рассмотрение примера с плазмой, мы можем сделать вывод, что если относительное изменение степени ионизации за время релаксации l / i / в среде мало, то для электродинамических характеристик можно использовать стационарные формулы, учтя в них изменение электронной концентрации со временем. [9]
Для экспериментатора представляется очень важным определиться, с каким типом перехода, Мотта или Андерсона, он имеет дело. Но практически всегда выбор оказывается не вполне убедительным. Изменение электронной концентрации п возможно лишь при нарушении стехиометрии и / или внесении примесей. Поэтому параллельно с изменением п меняется и беспорядок. С другой стороны рост беспорядка влияет на экранирование. Количественные характеристики переходов Мотта и Андерсона тоже, как это ни странно, сходны. [10]
Возникновение сателлитных рефлексов вокруг нормальных рефлексов в направлении Ъ в соответствии с периодичностью дальнего порядка в сверхструктуре CuAu II заставляет предположить, что зона Бриллюэна должна иметь некоторое расщепление определенных граней. Это иллюстрируется схемой на фиг. Сато и Тот [102] предположили, что при наличии одного электрона на атом поверхность Ферми проходит на небольшом расстоянии от граней 110, и поэтому в случае образования сверхструктуры CuAu II взаимодействие поверхности Ферми с этими расщепившимися гранями приводит к дополнительной стабилизации структуры дальнего порядка. Поскольку от периода М зависит расстояние между сателлитными пятнами в обратной решетке, то должна быть связь между М и электронной концентрацией, определяющей объем сферы Ферми. Было показано, что при увеличении электронной концентрации е / а поверхность Ферми лучше соответствует граням 110, если их расщепление увеличивается. Сато и Тот [101] показали, что добавление различных элементов к сплаву CuAu II, обусловливающее изменение электронной концентрации е / а, приводит также и к изменению периода дальнего порядка, согласующемуся с вышеописанной моделью. Более того, эта модель дает возможность объяснить и другие характеристики сверхструктур дальнего порядка, такие, как характер искажения кристаллической решетки, температурную и концентрационную зависимости этих искажений и периодичности, а также позволяет ответить на вопрос о том, будет ли данная сверхструктура одномерной или двумерной. [11]
Возникновение сателлитных рефлексов вокруг нормальных рефлексов в направлении Ъ в соответствии с периодичностью дальнего порядка в сверхструктуре CuAu II заставляет предположить, что зона Бриллюэна должна иметь некоторое расщепление определенных граней. Это иллюстрируется схемой на фиг. Сато и Тот [102] предположили, что при наличии одного электрона на атом поверхность Ферми проходит на небольшом расстоянии от граней 110, и поэтому в случае образования сверхструктуры CuAu II взаимодействие поверхности Ферми с этими расщепившимися гранями приводит к дополнительной стабилизации структуры дальнего порядка. Поскольку от периода М зависит расстояние между сателлитными пятнами в обратной решетке, то должна быть связь между М и электронной концентрацией, определяющей объем сферы Ферми. Было показано, что при увеличении электронной концентрации el а поверхность Ферми лучше соответствует граням 110, если их расщепление увеличивается. Сато и Тот [101] показали, что добавление различных элементов к сплаву CuAu II, обусловливающее изменение электронной концентрации е / а, приводит также и к изменению периода дальнего порядка, согласующемуся с вышеописанной моделью. Более того, эта модель дает возможность объяснить и другие характеристики сверхструк-тур дальнего порядка, такие, как характер искажения кристаллической решетки, температурную и концентрационную зависимости этих искажений и периодичности, а также позволяет ответить на вопрос о том, будет ли данная сверхструктура одномерной или двумерной. [12]
 |
Взаимодействие р-электронов, возникающее по гипотезе Григоровича при перекрывании электронных облаков ионов. [13] |
Оно основано на предложенном им понятии электронной концентрации. Эта последняя равна среднему числу валентных электронов, приходящихся на один атом в кристалле. Каждый атом в металле окружен в среднем числом электронов, равным электронной концентрации. По мнению Юм-Розери, положение каждого атома в металле определяется его притяжением к почти свободным электронам, расположенным около него. Поэтому в разных металлах и сплавах, имеющих одинаковую электронную концентрацию, структуры должны быть подобны. В некоторых случаях правило Юм-Розери оправдывается. Но оно имеет множество отклонений. С его помощью нельзя объяснить полиморфные переходы в металлах и то, что многие из них плавятся без изменения электронной концентрации. Ясно, что электронная концентрация - не единственный фактор, определяющий структуру чистого металла. [14]
Страницы: 1