Стеблер

Cтраница 1

Стеблер и Филипс [4.73], обсуждая влияние центров захвата на чувствительность голографической записи в LiNbO3 - Fe, считают, что простая реакция Fe2 - e - Fe3 достаточно хорошо объясняет многие экспериментальные факты. [1]

Фонан, Стеблер, Кисе [3.34] под фотохромными материалами понимают материалы, которые обратимо меняют цвет под действием освещения. Такие обратимые изменения могут иметь место в темноте при термическом возбуждении или при освещении светом других длин волн. Авторы подчеркивают необходимость отличать материалы с обратимым изменением цвета от фото-хромных материалов разового действия. [2]

Зависимость дифракционной эффективности от постоянной голографической решетки в ВаТЮз. [3]

Амодей и Стеблер [4.20, 4.21, 4.25], приняв за основу модель Чена, применили ее непосредственно для объяснения процесса записи голограмм. [4]

По данным Стеблера [79, 80] сопротивление капиллярных трубок пропорционально длине в степени 2 / з и обратно пропорционально кубу диаметра. [5]

Распределение электронов в ловушках перед ( а и после ( б голографической записи в кристаллах LiNbOs-Fe. [6]

Амодеем и Стеблером были получены выражения для локальных полей Е ( х), образованных дрейфом или диффузией носителей заряда для стационарного случая. [7]

По мнению Фонана, Стеблера и Кисса [3.34], только последняя из перечисленных причин, а именно окислительно-восстановительная реакция ( перенос заряда между дефектами и примесными центрами), играет важную роль в неорганических фотохромных материалах. По нашему мнению, как уже было указано в предыдущем разделе, существенное значение имеет и механизм, связанный с фазовыми переходами, которые инициируются светом или тепловым действием света. [8]

Вуд [4.81] провел сравнительный анализ моделей Амодея, Стеблера и Джонстона. Он показал, что предположение Джон-стона о том, что окончательная конфигурация носителей, определяемая условием Е ( х) 0 для любого х, далеко не всегда реализуется в системе с заряженными ловушками при произвольной кинетике носителей или произвольном распределении носителей. Вуд полагает, что для достижения стационарного состояния условие отсутствия фототока ( как предполагали Амодей и др.) является более обоснованным. [9]

Зависимость дифракционной эффективности в LiNbOs от времени для считывания голограммы. [10]

Как отмечают авторы [4.41], характеристики процесса самоусиления в этих кристаллах согласуются с механизмом, предложенным для описания этого явления Стеблером и Амодеем. [11]

Чена) или распределением плотности занятых ловушек ( механизм Джонстона), и принимая во внимание, что перенос электронов происходит в результате диффузии или дрейфа, Амодей и Стеблер получили отличные от 0 фазовые сдвиги в двух случаях: 1) при индуцированном диффузией распределении электрического поля; 2) при индуцированном дрейфом распределении плотности занятых ловушек. [12]

Янгом и др. [4.83] было показано, что пространственные смещения между распределением световой интенсивности и изменениями показателя преломления являются различными для диффузии и дрейфа электронов только в предположении о малой длине свободного пробега. Авторы получили выражение для стационарного поля при любых длинах свободного пробега и показали, что дифракционная эффективность голограмм, связанная с распределением А / г, возрастает до некоторого предела с ростом длины пробега носителей при диффузии или дрейфе. Одуловым и Соскиным [4.15] было справедливо отмечено, что предположение пе-1 ( х), сделанное Амодеем и Стеблером, противоречит экспериментальным данным о зависимости глубины модуляции An от интенсивности возбуждения. [13]

Страницы: 1