Cтраница 4
![]() |
Изменение ширины запрещенной зоны при переходе из кристаллического в стеклообразное состояние. [46] |
Рентгеноструктурные исследования халькогенидных стекол малочисленны. Эти исследования установили наличие в стеклах цепочечно-слоистой структуры и, что особенно важно, сохранение ближнего порядка при переходе этих веществ из кристаллического в стеклообразное состояние. [47]
В сплавах халькогенидных стекол имеет место плавный переход от характера поглощения одного компонента к характеру поглощения друг того. [48]
Характерной особенностью халькогенидных стекол, как и стекол других классов, является увеличение тенденции к стеклообразованию с увеличением числа компонентов в сплаве. На первое место среди физико-химических факторов, определяющих стеклообразование в халькогенидных системах, Дембовский [181] ставит наличие стеклообразующего химического соединения. [49]
![]() |
Зависимость электрической проводимости lg о стеклообразного ( 1 и кристаллического ( 2 As2Se3 от температуры. [50] |
Электрические свойства халькогенидных стекол генетически связаны с соответствующими свойствами элементарных халькогенов. Сера относится к широкозонным полупроводникам ( диэлектрикам), теллур к полупроводникам ( или полуметаллам), селен занимает промежуточное положение. [51]
В состав халькогенидных стекол фосфора может быть введено до 50 ат. Пр и увеличении в стеклообразных сплавах содержания этих элементов сверх указанного, они начинают медленно разрушаться на воздухе. Халькогенидные стекла, в состав которых входит алюминий, настолько неустойчивы, что быстро разрушаются при вскрытии ампул после синтеза. Таким образом, элементы, образующие с кислородом наиболее устойчивые, технически важные стекла, с его аналогами дают неустойчивые, стеклообразные сплавы, обладающие повышенной гигроскопичностью. [52]
Что касается полупроводниковых халькогенидных стекол, то вопрос о стеклообразователях и модификаторах выглядит несколько сложнее. В эти материалы можно ввести только относительно малые количества халькогенидов одно - и двухвалентных элементов, и нельзя с уверенностью сказать, что их введение всегда приводит К образованию немостиковых атомов. [53]
Фотопотемнение в халькогенидных стеклах [143-154] является типичным явлением в аморфной фазе. [54]
В общем, халькогенидные стекла весьма разнообразны по составу. Все они непрозрачны для видимого света, но отличаются прозрачностью в широкой инфракрасной области спектра. Граница пропускания сдвигается в сторону более длинных волн при переходе от сульфидов к селенндам и теллуридам. Так, по данным [63] в системах Ge-As-X ( где X S, Se, Те) область пропускания сульфидных стекол лежит при 1 - 5мк, селенидных 1 - 15 мк, теллуридных 1 - 20 мк. Обычно полосы поглощения обусловлены примесями окислов и воды. [55]
Из перечисленных материалов оксидные и халькогенидные стекла, окись кремния, фтористые кальций и церий осаждаются испарением из тигля. [56]
Способность кристаллизоваться у халькогенидных стекол значительно выше, чем у оксидных, однако она меняется в зависимости от их состава. По своим электрическим свойствам халькогенидные стекла относятся к типичным электронным полупроводникам с дырочным механизмом проводимости. [57]
Это изменение электропроводимости халькогенидных стекол обусловлено главным образом изменением концентрации носителей тока. Халькогенидные стекла, как правило, бывают от желтого до темно-коричневого цвета, однако они отличаются прозрачностью в инфракрасной области спектра ( максимальное пропускание 60 - 80 %) и имеют очень простую структуру спектров поглощения. Оптическое поглощение у большинства халькогенидных стекол определяется характером поглощения As2S3 и AsaSeg. Ряд стекол пригоден для получения хороших светофильтров с краем полосы пропускания от 0 6 до 2 - 3 мк. [58]
Способность кристаллизоваться у халькогенидных стекол значительно выше, чем у оксидных, однако она меняется в зависимости от их состава. По своим электрическим свойствам халькогенидные стекла относятся к типичным электронным полупроводникам с дырочным механизмом проводимости. [59]