Степень - заполнение - зона
Cтраница 1
Степень заполнения зон легко определяется числом валентных электронов. [1]
Анализ степени заполнения зон позволяет в дальнейшем исключить из рассмотрения все глубокие зоны, лежащие ниже валентной, так как электроны в этих зонах не участвуют в прохождении электрического тока через кристалл. [2]
Величина Ae ls ( k) зависит от k и степени заполнения зон п и п и всех других зон металла. [3]
В материалах с более высокими температурами обработок ( 1910 и 2070 К) количество ловушек уменьшается, а степень заполнения зоны увеличивается настолько, что становится возможной дырочная проводимость. Отклонение от линейного закона, наблюдающееся при высоких температурах, вызвано снятием вырождения с приближением тепловой энергии кТ к энергии Ферми. [4]
 |
Зависимость изменения. [5] |
Для тонкой пленки и слабого магнитного поля ( у 1, v 1) укажем, что относительное изменение а вследствие размерного эффекта йевелико для рассеяния на ионах примеси и оптических фононах, но значительно возрастает при г 0, причем это изменение тем больше, чем выше степень заполнения зоны. [6]
 |
Зависимость изменения коэффициента поперечного ЭНЭ от относительной толщины пленки V d / l для г О ( 1, 1 ( 2 и 2 ( 5. [7] |
Для тонкой пленки и слабого магнитного поля ( у 1, v 1) укажем, что относительное изменение а вследствие размерного эффекта йевелико для рассеяния на ионах примеси и оптических фононах, но значительно возрастает при г - 0, причем это изменение тем больше, чем выше степень заполнения зоны. [8]
Когда верхние зоны сближаются вплотную или перекрываются, как, например, в случае элементов второй группы - кальция, бериллия и др. - мы снова встречаемся с проявлением металлических свойств. Таким образом, ширина, строение, степень заполнения зон и расстояние между ними - ширина запрещенной зоны - отражая электронную структуру, указывают на природу твердого вещества. [9]
При изменении концентрации примесей или интенсивности возбуждающего света в таких пределах, что сильно изменяется степень заполнения зон, параметры pcj. В частности, если pCd ( Ec) уменьшается с увеличением Ес, то с увеличением накачки pcd как среднее значение pCd ( Ec) также будет уменьшаться. [10]
В неоднородных сплавах типа Юм-Розери образуются другие интерметаллические фазы. На границе фаз энергия активации достигает максимума для данной фазы. Отсюда следует, что как в однородных, так и в неоднородных сплавах каталитическая активность зависит от степени заполнения зон Бриллюэна. В пределах одной фазы добавление растворяемого металла вызывает повышение уровня Ферми, что приводит к соответствующему росту энергии активации. Переход от насыщенной к ненасыщенной фазе, согласно Мотту и Джонсу, сопровождается понижением уровня Ферми, что приводит к уменьшению энергии активации. Необычно высокий подъем энергии активации в случае у-фазы, очевидно, обусловлен формой зоны Бриллюэна. Именно вследствие сложности решетки этих сплавов зоны Бриллюэна в у - Фазе почти сферические и в точке насыщения поверхность Ферми может почти совпасть с границей зоны. Высокая степень заполнения зоны приводит к максимальной энергии активации. [11]
Поскольку донорный уровень обычно только на 0 04 эв отстоит от зоны проводимости, то, как только температура увеличится относительно абсолютного нуля, донорные электроны перейдут в зону проводимости. Следовательно, концентрация свободных электронов быстро возрастает с температурой до тех пор, пока все доноры не будут ионизованы. После этого увеличение концентрации электронов в зоне проводимости возможно только за счет электронов валентной зоны. Пока температура не возрастет настолько, чтобы электроны валентной зоны имели достаточную энергию для преодоления запрещенной зоны, в степени заполнения зоны проводимости свободными электронами не происходит значительного изменения. Как только температура становится достаточной для образо вания электронно-дырочных пар, концентрация электронов начинает снова быстро расти с температурой. Однако теперь одновременно с каждым новым электроном, появляющимся в зоне проводимости, образуется и дырка в валентной зоне. Говорят, что при этих условиях полупроводник достигает собственного состояния. [12]
Страницы: 1