Степень - интеграция - элемент
Cтраница 1
Степень интеграции элементов ИС характеризует достигнутый при производстве этих ИС технологический уровень. Однако для потребителей ИС более важна степень интеграции не элементов, а логических функций, так как именно она показывает, какое количество ИС ( корпусов) потребуется для построения того или иного логического устройства. [1]
Непрерывное повышение степени интеграции элементов на кристалле и их быстродействия позволили создать новый класс интегральных микросхем - микропроцессоры, являющиеся удачной реализацией изделий вычислительной техники на базе полупроводниковой технологии. [2]
От каких факторов зависит степень интеграции элементов САПР для однотипных режущих инструментов. [3]
Современная тенденция развития систем управления преобразователями характеризуется повышением степени интеграции элементов. Схемотехнические решения на базе дискретных компонентов уступают место интегральным микросхемам и микроконтроллерам, обеспечивающим переход от жестких алгоритмов управления к более гибким, максимально учитывающим специфику работы ключа и схемы. [4]
Все эти технологии постоянно совершенствуются с целью увеличения быстродействия и степени интеграции элементов на Кристалле. К настоящему времени разработано несколько десятков этих технологий. [5]
Основу дальнейшего развития автоматизации создает быстрое развитие микроэлектроники и рост степени интеграции элементов технологии и микроэлектроники. [6]
Мощность рассеяния является параметром, зависящим от технологии выполнения МП, степени интеграции элементов на кристалле и топологии схемы. [7]
Основные факторы, послужившие предпосылкой создания МП БИС, - увеличение степени интеграции элементов в кри-сталле, их быстродействия, повышение требований потребителя к вычислительной технике. [8]
Потребляемая мощность является параметром, зависящим от технологии производства МП БИС, степени интеграции элементов на кристалле и их размещения. [9]
Однако возрастающая функциональная сложность микроэлек-тронной аппаратуры, различные области применения микросхем, повышение степени интеграции элементов требуют повышения надежности микросхем. Технические пути повышения надежности могут быть различными: развитие научных основ проектирования изделий ( аппаратуры) с целью обеспечения заданных требований к надежности и долговечности и принятие ряда мер по совершенствованию методов конструирования, улучшение технологии, применение более надежных ( материалов и комплектующих изделий, использование специальных приемов, изучаемых теорией надежности ( например, резервирования), и др. Результаты испытаний микросхем на надежность и прогнозирование надежности показывают, что полезным инструментом для повышения надежности микросхем, особенно тех, которые должны иметь высокую надежность, является анализ отказов. Такой анализ на основе механизмов, возникающих при ускоренных испытаниях микросхем на надежность, требует понимания физики отказов. [10]
Как уже говорилось, современная технология позволяет создавать большое количество комплектов БИС для самого различного применения, отличающихся разнообразными возможностями по степени интеграции элементов в одном кристалле, небольшой мощностью потребления, высоким быстродействием, хорошей помехоустойчивостью. [11]
Функционально-интегрированный элемент, в котором пассивные компоненты совмещены с базами транзисторов, изображен на рис. 4.35. В этом случае использование метода изоляции Изопланар дополнительно повышает степень интеграции элементов ЗУ. [13]
В зависимости от технологии изготовления БИС подразделяют на полупроводниковые и гибридные. Полупроводниковые БИС являются самыми перспективными, так как позволяют добиться лучших показателей по степени интеграции элементов и наименьшей удельной стоимости элемента. [14]
Для снижения мощности рассеяния используют малые питающие напряжения. Уменьшение питающих напряжений позволяет снизить потребляемую устройством мощность, что необходимо при увеличении степени интеграции элементов импульсных устройств. В микроминиатюрных интегральных устройствах применяют обычно кремпиев ie транзисторы, имеющие малые значения обратного тока / ко. [15]
Страницы: 1 2