Степень - легирование
Cтраница 3
Рассмотрим влияние степени легирования полупроводника на характеристики туннельного диода. Наиболее сильно от степени легирования материала зависит значение тока / ср, так как [ из (6.6) - (6.7) ] / ср ( 2 / 9ц) Аз ( АЕп АЕр) 3, а значения АЕп, АЕР определяются концентрацией примесей. Крутизна падающего участка на вольт-амперной характеристике в значительной степени определяется отношением / Ср / / о, поскольку относительные изменения Vo и Vcv для данного материала невелики. Так как туннельный ток в прямом направлении пропорционален числу электронов в л-области, то значение / Ср а следовательно и / ср / / о, растет с увеличением концентрации примесей в р - и п-областях. [31]
С увеличением степени легирования полупроводника К уменьшается и положение минимума смещается влево, что и понятно, ибо чем сильнее легирован полупроводник, тем ближе ко дну зоны проводимости располагается уровень Ферми, тем больше нужно изогнуть зоны для образования инверсионного слоя. [32]
С увеличением степени легирования сталей существенно уменьшается относительная поверхность их, пораженная коррозией. При этом увеличивается скорость развития точечной и язвенной коррозии в глубину металла. Точечно-язвенная коррозия и коррозионное растрескивание приводят к более быстрому износу оборудования, чем в случае равномерного разрушения. Наибольшую склонность к коррозионному растрескиванию проявляют хромоникелевые стали средней степени легирования. Такие же аппараты из стали Х18Н10Т приходят в полную негодность через 1 0 - 1 5 месяца, главным образом вследствие коррозионного растрескивания трубок в местах их развальцовки в решетках. [33]
 |
Схемы ковки ( изготовления заготовок из сплавов цветных металлов. [34] |
С повышением степени легирования алюминиевого сплава пластичность уменьшается, а прочность повышается. [35]
 |
Эквивалентная схема туннельного диода. [36] |
При снижении степени легирования сильно легированного полупроводника туннельный эффект проявляется слабо и туннельный ток в прямой ветви вольт-амперной характеристики становится незначительным. Диоды, обладающие большим туннельным обратным и малым туннельным прямым токами, называются обращенными ( см. рис. 28, 6) и используются для переключения в наносекундном и пико-секундном диапазонах, а также для детектирования СВЧ-сигналов. [37]
В зависимости от степени легирования у ферритных стал наблюдается различная чувствительность сопротивления уст лости к воздействию коррозионной среды и к надрезу. Влияние ук занных факторов на сопротивление малоцикловой усталосз аналогично. [38]
В зависимости от степени легирования их делят на углеродистые, легированные и высоколегированные. [39]
Изменение системы и степени легирования должно приводить к изменению интенсивности протекания диффузионных процессов и, как следствие, к различным зависимостям прочности при замедленном разрушении от максимальной температуры предварительного нагрева имитированным сварочным. [40]
При различии в степени легирования подложки и пленки параметры решеток автоэпитаксиальной пленки и подложки могут существенно различаться. [41]
В зависимости от степени легирования полупроводника преобладает один из этих факторов. Очевидно, можно выбрать промежуточную степень легирования, при которой 1 не будет меняться в интервале температур. [42]
В реальных приборах степень легирования эмиттера, базы и коллектора различны. Обычно концентрация примесей в эмиттере на несколько порядков выше концентрации примесей в базе. Степени легирования базы и коллектора в пленарном транзисторе примерно одинаковы. [43]
Первая цифра обозначает степень легирования стали кремнием. Вторая цифра обозначает гарантированные электрические и магнитные свойства стали. Третья цифра 0 - сталь холоднокатаная текстурован-ная; 00 - тоже малотекстурованная. [44]
В зависимости от степени легирования полупроводника преобладает один из этих факторов. Очевидно, можно выбрать промежуточную степень легирования, при которой 1 не будет меняться в интервале температур. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5