Cтраница 3
Один из таких методов, применяемый для контроля степени вакуума или разности в приемно-усилительных лампах, состоит в следующем. [31]
Эта трубка соединяется с баллоном, в котором измеряется степень вакуума. [32]
Нужно отметить, что искровым течеискателем можно повлиять на степень вакуума в вакуумной системе. [33]
С другой стороны, так как в методе распыления степень вакуума составляет 1 0 - 0 1 Па, в пленку попадает много остаточного газа. Кроме того, довольно сильно нагревается подложка. Поэтому этот метод пригоден только для получения сплавов с высокой температурой кристаллизации. Получить же чистые аморфные металлы этим методом практически невозможно. [34]
Условия пролета частиц определяются, в первую очередь, степенью вакуума, от которой зависит средняя длина свободного пролета молекул. [35]
Количество тепла, передаваемого через остаточный газ снижается с увеличением степени вакуума и при давлении порядка 10 мПа становится пренебрежимо малым. Кроме того, при вакуумной изоляции не требуется никаких дополнительных материалов. [36]
Производительность нутча зависит от поверхности фильтрующей перегородки, толщины слоя осадка и степени вакуума. В имеющихся установках размеры фильтрующей поверхности нутча составляют 1 - 6 м2, толщина слоя осадка-в пределах 50 - 400 мм. [37]
При этом давление в двух сторонах поршня выравнивается, что позволяет увеличить степень вакуума. Аналогичные явления происходят во второй полости цилиндра. [38]
Производительность нутча зависит от поверхности фильтрующей перегородки, толщины слоя осадка и степени вакуума. [39]
Контрольный прибор / типа УТВ-46 с помощью термопарных ламп 3 типа ЛТ-2 контролирует степень вакуума в системе. [40]
Контрольный прибор / типа УТВ-46 с помощью термопарных ламп 3 типа ЛТ-2 контролирует степень вакуума в системе. Для перемещения от одного баллона к другому электрическая печь 6 смонтирована на специальной роликовой тележке. Смотровое окно 4 предусмотрено для наблюдения за ходом процесса металлизации. [41]
В процессе формирования тонкопленочных структур вакуумными методами особо важен контроль таких параметров технологического процесса, как степень вакуума и парциальног о давления остаточных газов; температура подложек и испарителя; изменение сопротивления резистивной пленки, толщины и скорости напыления. [42]
Структура и свойства пленок в сильной степени зависит от темп-ры испарения материала и темп-ры подложки, степени вакуума, чистоты подложки, скорости конденсации и угла падения моликулярного ( атомного) пучка на подложку. [43]
На структуру тонких пленок независимо от способа их получения существенное влияние оказывают температура подложки при испарении, степень вакуума, свойства испаряемых металлов и свойства материала подложки. [44]
На крутизну характеристики магнетрона влияют: неоднородность электрического поля; непараллельность нити накала оси цилиндрического анода; степень вакуума лампы и другие причины. [45]