Cтраница 2
Индивидуальные дозиметры ДК-02 в виде цилиндров размером с обычный карандаш приспособлены для ношения в кармане. В цилиндре размещены миниатюрная ионизационная камера и однонит-ный электрометр. Ионизационная камера играет роль конденсатора, который разряжается в результате ионизации воздуха под действием ионизационного излучения. Степень разрядки конденсатора определяется по отклонению нити электрометра и однозначно определяет дозу излучения. [16]
Несколько более совершенным методом является ксерорадиогра-фическая рентгене - и гамма-дефектоскопия. При этом методе покрытая селеном металлическая пластинка заряжается статическим электричеством. Рентгеновские лучи, прошедшие через исследуемый объект, разряжают пластинку. Степень производимой разрядки соответствует степени проникновения рентгеновских лучей. На пластинке отражается скрытое электростатическое изображение. Для того чтобы сделать это изображение видимым, пластинку посыпают порошком, обладающим способностью притягиваться к заряженным частям пластинки. Участки с большим зарядом удерживают более толстый слой порошка. Процесс проявления пластинки длится 40 сек. [17]
Такую пластину, как и рентгеновскую пленку, помещают в светонепроницаемую кассету. Перед просвечиванием поверхность селенового слоя заряжают электрическим зарядом. Под действием прошедшего ионизирующего излучения поверхностный электрический заряд стекает через алюминиевую подложку. При этом степень разрядки пропорциональна дозе прошедшего излучения. [18]
На бумагу наносится тонкий слой какого-нибудь фоточувствительного полупроводникового вещества с высоким омическим сопротивлением, например ZnO. Затем листок такой бумаги помещается в металлическую кассету специального фотоаппарата. Несложное приспособление создает в непосредственной близости от бумаги газовый разряд, в результате чего бумага равномерно заряжается отрицательным электрическим зарядом. После этого выключается источник напряжения, вызывающий возникновение газового разряда. На снимаемый объект наводится объектив фотоаппарата, при этом на поверхность полупроводникового слоя проектируется изображение, состоящее из большого числа различно освещенных участков. Под воздействием света сопротивление участков полупроводникового слоя уменьшается тем больше, чем больше освещенность данного участка, и он в электрическом отношении перестает быть однородным. Отрицательные заряды отдельных участков полупроводникового слоя уходят в специальный коллектор, находящийся под положительным потенциалом. Но так как различно освещенные участки слоя имеют соответственно и разную электропроводность, то в процессе перемещения зарядов с бумаги на коллектор заряды с хорошо освещенных участков фактически уйдут полностью, с менее освещенных - частично, с плохо освещенных - почти совсем не уйдут. Таким образом, степень разрядки каждого участка полупроводникового слоя в отдельности определяется степенью его освещенности. [19]