Cтраница 5
Уровень остаточного напряжения современных кремниевых транзисторов менее устойчив к циклическому изменению температуры, чем германиевых. Если после нагревания и охлаждения преобразователя на германиевом транзисторе остаточное напряжение у 60 % транзисторов изменяется не более чем на 15 % и имеет воспроизводимый характер, то после нагревания и охлаждения преобразователя на кремниевом транзисторе остаточное напряжение изменяется не более чем на 15 % только у 10 % транзисторов ( П105 - П106) и у большинства из них не наблюдается его воспроизводимости. Как было показано выше, при использовании германиевых транзисторов этот источник нестабильности может быть частично нейтрализован правильным подбором пар. В случае применения кремниевых транзисторов такой подбор становится затруднительным, так как изменение остаточного напряжения VR кремниевых транзисторов при циклическом изменении температуры имеет беспорядочный характер. [61]
В состоянии теплового равновесия электроны с мелких донорных уровней полностью заполняют верхний акцепторный уровень. Концентрация доноров выбирается такой, чтобы результирующая проводимость базы была электронной. Глубокие уровни при сжатии смещаются к дну зоны проводимости. Следовательно, с ростом давления заполнение акцепторного уровня золота уменьшается и проводимость базы растет. Одновременно происходит уменьшение Eg кремния, что приводит к дополнительному увеличению проводимости базы. Рост проводимости базы S-диода приводит, как обычно, к уменьшению напряжения включения. Эксперименты показали, что изменение остаточного напряжения под действием давления - того же порядка, что и напряжения обычного р - га-перехода при прямом смещении ( при постоянном токе), а напряжение включения изменяется во много раз сильнее. [62]