Изменение - пороговое напряжение
Cтраница 1
 |
Зависимость напряжения отсечки МДП-транзистора типа. [1] |
Изменение порогового напряжения и напряжения отсечки МДП-транзисторов также может быть оценено по приведенному соотношению, но температурные коэффициенты изменения этих напряжений имеют существенно большую величину и составляют 8 - 10 мВ / С. На рис. 14 для примера приведены зависимости напряжения отсечки и порогового напряжения МДП-транзисторов от температуры. [2]
 |
Запись инфор - поля индуцированным каналом мации в ос / на MriUii. [3] |
При этом происходит изменение порогового напряжения МНОП транзистора. [4]
 |
Принципиальная схема устройства сдвига уровня и двоичного элемента памяти для ЖКИ. [5] |
Для обеспечения надежного функционирования при изменении порогового напряжения и коэффициента усиления тонкопленочных транзисторов в схеме использован более высокий логический уровень сигнала. Транзистор VT1 задает напряжение смещения для транзистора VT2 на уровне, несколько меньшем, чем его пороговое напряжение. Транзистор VT3 открыт при низком уровне входного напряжения, и через него источник тока замыкается на линию ввода логических сигналов. Транзисторы VT4 и VT5 обеспечивают устойчивость сдвига уровней. Устройство сдвига уровня имеет дополнительный инвертор и обеспечивает формирование как прямого, так и инвертированного сигналов. [6]
На рис. 22 сплошные кривые, определяющие изменение пороговых напряжений, характеризуют общую тенденцию его изменения в зависимости от количества легирующих элементов. Кривые, показанные пунктиром, характеризуют пороговые напряжения для сталей с минимальным пределом текучести. [7]
 |
Структурная схема ПЗУ с электрическим программированием. [8] |
В результате внутри МОП структуры образуется некоторый заряженный слой, который приводит к изменению порогового напряжения МОП транзистора. При постоянном напряжении на затворе в режиме считывания информации это приводит к изменению тока считывания. [9]
Ранее отмечалось, что режим горячих носителей характеризуется насыщением их дрейфовой скорости. Кроме того, в МОП-транзисторах этот режим сопровождается еще изменением порогового напряжения. Это объясняется тем, что носители с высокой энергией преодолевают потенциальный барьер между кремнием и окисным слоем, инжектируются в этот слой, захватываются дефектами окисного слоя и повышают его объемный заряд. [10]
В то же время для МДП-транзистора велика роль физических процессов в диэлектрике и на его границе с полупроводником. Эти процессы влияют на стабильность параметров, в частности определяют изменения порогового напряжения. При нормальных рабочих напряжениях на электродах в тонком подзатворном диэлектрике возникает электрическое поле высокой напряженности порядка 105 - Ю6 В / см. Сильное поле может вызвать дрейф положительного заряда в диэлектрике, изменение значения положительного заряда Qrrou и порогового напряжения. [11]
Миниатюризация элементов приводит к ситуации, когда, в частности, в МОП-транзисторах горячие ( с высокой энергией) электроны к дырки проникают из кремния в окненыи слой. В результате окисный слой заряжается электрически, что приводит к изменению порогового напряжения МОП-транзистора Vt и является чрезвычайно важной проблемой. [12]
В таких приборах возможно изменение заряда под затвором и в соответствии с этим изменение порогового напряжения между двумя устойчивыми состояниями, которые могут достаточно долго сохраняться после снятия напряжения. Приборы с постоянной памятью обладают большой скоростью переключения из состояния О в состояние 1 и наоборот. [13]
Стойкость МДП-транзисторов, у которых диэлектрик является рабочим элементом структуры, определяется в основном действием у-излучения, влияющего на изменение свойств диэлектрика и увеличение плотности зарядов на границе раздела диэлектрик - полупроводник. Изменение свойств диэлектрика происходит в результате накопления под действием у-излучения положительного заряда, что в свою очередь приводит к изменениям порогового напряжения и положения рабочей точки. Стойкость к воздействию потока нейтронов МДП-транзисторов без учета сдвига вольт-амперных характеристик ( при измерении параметров в режиме неизменности тока стока) превышает 1015 нейтр. [14]
Наряду с выявлением потенциально ненадежных МДП-структур радиационные и ультрафиолетовые излучения могут использоваться для корректировки пороговых напряжений МДП-транзисторов. Корректировка пороговых напряжений может производиться и с использованием комбинированного воздействия рентгеновского и ультрафиолетового излучений. МДП-структуры позволяет регулировать величину неотжигаемой части изменения порогового напряжения. Для корректировки пороговых напряжений может применяться и гамма-излучение. [15]
Страницы: 1 2