Cтраница 1
Кремниевый стержень закрепляют вертикально в камере установки в специальном держателе. Со стороны одного из концов стержня ( обычно с нижнего) располагают затравочный кристалл. Зону расплава - создают в вертикально расположенном стержне. В этой зоне развивается давление, обусловленное массой расплава. [1]
Затем кремниевый стержень подвергают физической очистке, используя способность кремния поглощать большее количество примесей в жидкой, а не в твердой фазе. Поэтому, создав в кремниевом стержне зону жидкой фазы, например путем индуктивного нагрева до температуры выше 1420 С, можно добиться того, что эта зона будет отбирать загрязняющие примеси из соседних твердотельных областей. [2]
Сначала скручиванием кремниевого стержня около оси [111] в кристалл были введены винтовые дислокации известного знака. Затем путем диффузии в кристалл было введено золото. [3]
Определить значение дрейфового тока, протекающего через кремниевый стержень длиной 5 см и с поперечным сечением 0 5x0 5 см2, к концам которого приложена разность потенциалов 6 В. [4]
Дальнейшую его очистку осуществляют методом зонной плавки, по которому кремниевый стержень нагревают до плавления в узкой зоне. Примеси растворяются в жидком металле и перемещаются вдоль стержня вместе с зоной, а металл становится сверхчистым. [5]
При бестигельной зонной плавке затравка подводится снизу, а конец исходного кремниевого стержня плавится. Расплав удерживается силами поверхностного натяжения. После введения затравки в расплав и начала роста затравка опускается с растущим кристаллом вниз, в том же направлении движется исходный стержень. В этом случае также применяется взаимное осевое вращение затравки и плавящегося стержня. [6]
Прутки вытягивают с пьедестала в вакууме ( рис. 19, в), используя в качестве исходного материала кремниевый стержень диам. [7]
Многие авторы [87-91] исследовали зонную очистку, при которой расплавленный слой удерживается на весу между двумя твердыми частями кремниевого стержня. Такая очистка называется обработкой по методу плавающей зоны и наиболее пригодна для получения очень чистых, однородных монокристаллов кремния. [8]
К концу стержня с помощью манипулятора подводят графит ( молибден), который, имея высокую электропроводность, быстро нагревается индуктором и затем за счет радиационного излучения нагревает кремниевый стержень. После предварительного разогрева с помощью уже токов высокой частоты создается на конце стержня капля расплава. Затем в эту каплю вводится затравочный кристалл. Очень важно не пролить каплю на затравкодержатель, так как образующиеся при этом пары материала держателя загрязняют стержень кремния. После очистки выращенный кристалл охлаждают в. С и только после этого его выгружают, соблюдая те же меры предосторожности, как и при загрузке в камеру выращивания. Выгруженный кристалл охлаждают до комнатной температуры в специальном боксе с обеспыленной атмосферой, после чего упаковывают в целлофановый или полиэтиленовый пакет и направляют на операцию выращивания монокристалла. [9]
Чистота кремния-сырца, полученного тем или иным способом, недостаточна для выращивания легированных монокристаллов, используемых в полупроводниковом приборостроении. Кремниевый стержень / помещают внутрь кварцевой трубы 3, в которой создается вакуум или атмосфера инертного газа. [10]
Эмиттерный переход транзистора заперт. Через кремниевый стержень от EZ к Bt течет межбазовый ток. [11]
Эмиттерный переход транзистора заперт. Через кремниевый стержень от Бг к Б1 течет межбазовый ток. [12]
Прибор, показанный на рис. 6 - 6, получил название транзистора. Отдельные части кремниевого стержня также имеют свои названия. Крайняя левая область с проводимостью типа п называется эмиттером. Крайняя правая область с проводимостью типа п называется коллектором. Она названа так потому, что она как бы собирает заряды, освободившиеся в результате протекания тока в левой части. Средняя часть стержня, имеющая проводимость типа р, называется базой. [13]
Некоторые операции отделения примесей выполняются на ранних стадиях очистки. Если восстановление осуществляется путем термического разложения SiI4 на нагретой проволоке из тантала, вольфрама или молибдена или в подогреваемой кварцевой трубке, то из образовавшегося кремниевого стержня оставшиеся примеси можно непосредственно удалить методом плавающей зоны. [14]
Например, для получения кремния высокой степени чистоты применяется метод зонной плавки. Он основан на различной растворимости примесей в жидкой и твердой фазах. Кремниевый стержень расплавляют в узкой зоне нагревателем. При движении нагревателя, например, слева направо расплавленный участок стержня постепенно кристаллизуется, а соседний - плавится. Примеси растворяются в расплавленном веществе и перемещаются вдоль стержня вместе с зоной. Медленно продвигая нагреватель, большую часть примесей оттесняют к концу стержня, который затем отрезают. [15]