Стерн - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Молоко вдвойне смешней, если после огурцов. Законы Мерфи (еще...)

Стерн

Cтраница 1


Стерн, обсуждая применение ингибиторов в установках для кондиционирования воздуха, указывает, что обыкновенные щелочи могут вызвать питтинг, если количество их в растворе мало, а в больших количествах они вызывают коррозию цинковых деталей и производят вспенивание. Натриевые силикаты более удовлетворительны; они, однако, абсорбируют грязь и неприятно пахнут вследствие гниения абсорбированных ими органических веществ. Наиболее эффективным ингибитором для этих целей является бихромат натрия.  [1]

2 Соотношение между наклоном поляризационной кривой при низких плотностях тока и скоростью коррозии, т. е. плотностью тока обмена. [2]

Стерн показал, что большинство известных значений J лежат в пределах 0 06 - 0 12 В. При других предполагаемых значениях рк и ( 5а вычисленная скорость коррозии может отличаться от истинной в 2 раза.  [3]

Стерн [34] изучал такое соотношение, при котором анодная и катодная поляризации следуют тафелевской зависимости, а омическое падение напряжения незначительно.  [4]

Стерн и Ховард [1705] рассмотрели несколько более общий случай образования связанных состояний в поле заряженной примеси, расположенной в стороне от плоскости, занимаемой электронами, и учли экранирование примеси свободными электронами.  [5]

Стерн и Ховард [1705] показали, что вычисленная в борновском приближении величина эффективного сечения занижена для рассеяния на притягивающем потенциале и завышена для рассеяния на отталкивающем потенциале. По мере удаления заряженного рассеивающего центра от плоскости, которую занимают электроны, точность борновского приближения возрастает. Поэтому оно обычно используется для описания рассеяния в инверсионных и обогащенных слоях в полупроводниках, представляющих собой квазидвумерные системы, т.е. системы, толщина которых отлична от нуля.  [6]

7 Влияние условия иа границе раздела полупроводник - диэлектрик иа энергии уровней в треугольной потенциальной яме [ 1690J. По оси абсцисс отложенр отношение значения огибающей волновой функции на границе раздела к ее производной, взятой также на границе раздела. Единица длины а ( А2 / 2тге / 01 / 3, где F - электрическое поле в полупроводнике, единица энергии Е eFa. Энергии, при которых производная огибающей волновой функции равна нулю иа границе раздела, отмечены иа правой шкале. [7]

Стерн [1700] предложил модель размытой границы раздела в качестве возможной альтернативы модели рассеяния на границе раздела. Он предполагал, что проникновение волновой функции в переходный слой уменьшает подвижность пропорционально доли полной плотности заряда инверсионного слоя в переходном слое, что приближенно согласуется с экспериментальными данными. Стерн, неопубликованные результаты) показали, что в рамках борцовского приближения подвижность уменьшается пропорционально квадрату проникновения волновой функции в переходный слой на значительно меньшую величину. Недавние исследования ( [1021 - 1023, 1727, 690] и другие) дают величину шероховатости границы раздела, близкую к требуемой, так что этот альтернативный механизм не требует теоретического обоснования. Необходимо добавить, что значения сдвигов энергии получены Стерном [1700] для более простой модели, чем рассмотренная выше, и поэтому менее реалистической. Согласно Стерну, существование переходного слоя уменьшает энергию EQ0, тогда как Накаяма [1280] получил для более точной модели обратный эффект. Экспериментальная сторона этого вопроса обсуждается в § 3 гл.  [8]

9 Подвижность в инверсионном л-канале на поверхности ( 100Si, ограниченная рассеянием на заряженной границе Si - SiO2 ( / Vol 1 1012 см-2 и вычисленная в приближении линейного экранирования. Сплошные линии - результаты расчета с учетом обмена и корреляции по методу функционала плотности, пунктирные линии - результаты расчета в приближении хаотических фаз ( Хартри, точечная линия - результат вычислений Стерна, учитывающий наличие плавной границы. Показаны также экспериментальные результаты Хартстейна, Нинга и Фаулера. Верхние сплошная и пунктирная кривые, точечная кривая и темные кружки отвечают No6eaH 3 6 1011 см-2. Нижние кривые н светлые кружки - No6ens 1 9 - 1012см - 2. [9]

Стерн и Ховард [1705] в простейшем двумерном пределе исследовали эффекты высших порядков с помощью метода фазовых сдвигов. Грубо говоря, можно утверждать, что в случае притягивающих рассеивателей члены высших порядков способствуют усилению рассеяния, поскольку вблизи заряженных центров амплитуда волновой функции увеличивается. При отталкивающих рассеивателях эффект противоположен. Для более реалистических потенциалов задача не рассматривалась, но можно ожидать, что в действительности оорновское приближение является весьма хорошей аппроксимацией, поскольку в реальных инверсионных слоях эффективный рассеивающий потенциал становится значительно слабее, чем в двумерном пределе.  [10]

Стерн и др. 1122 обсудили механизм стерео-специфической полимеризации изопрена на Li и LiR в углеводородной среде. Предполагается, что полимеризация протекает путем последовательного присоединения к LiR цис-формы мономера с образованием шестичленного циклически активного комплекса. Относительная стабильность этого комплекса обусловлена способностью атома Li к Sp-гибридизации с повышением его валентности. Показано, что отношение содержания структур цис - 1 4 / 3 4 в полимерах, полученных на смешанном катализаторе Li - Na, линейно зависит от его состава. Из зависимости строения полимера, полученного на Li, от температуры полимеризации найдено АНцис - АЯ3 4 - 2010 кал / моль; AS4UC - А53 4 - 1 4 энтр.  [11]

12 Зависимость скорости нанесения молибденовых пленок от температуры подложки для различных напряжений смещения на подложке. [12]

Стерн и Кэсвел [52], исследуя пленки нихрома, объяснили влияние примеси водорода на скорость осаждения как следствие эффекта отбирания тока. Предполагается, что ионы водорода, из-за их высокой подвижности, будут переносить значительно большую часть заряда, чем их относительное количество в газовой атмосфере.  [13]

Стерн, Олдридж, Ч о у, Методы нейтрализации внутренней обратной связи в полупроводниковых триодах, Госэнергоиздат, 1957, стр.  [14]

Стерн настаивает, что это не было непосредственно связано со смертью Харрисона.  [15]



Страницы:      1    2    3    4