Cтраница 1
Изменение ориентации кристалла ( или его температуры, или наложение на кристалл постоянного электрического поля) приводит к смещению частот, для которых выполняется условие синфазности в направлении максимальной добротности, перпендикулярном зеркалам, и в результате частоты генерируемого излучения Oj, coa изменятся. Таким образом, параметрические генераторы света позволяют получать мощное когерентное излучение с плавной перестройкой его частоты. [1]
![]() |
Белый ( непрерывный и характеристический ( Ка - и Кр-линии спектры рентгеновского излучения. [2] |
Изменения ориентации кристалла относительно первичного пучка проще всего достичь, заменив монокристалл поликристаллическим образцом, содержащим крн сталлики всех возможных ориентации. [3]
Изменения ориентации кристалла относительно первичного пучка проще всего достичь, заменив монокристалл поликристаллическим образцом, содержащим кристаллики всех возможных ориентации. В этом случае используется лишь монохроматическое излучение ( наиболее интенсивная линия линейчатого спектра дублет - Ко. Среди кристалликов образца имеются и такие, ориентации которых ( углы % ь Х2, Уз) удовлетворяют совместному решению трех условий Лауэ. [4]
Изменения ориентации кристалла относительно первичного пучка проще всего достичь, заменив монокристалл поликристаллическим образцом, содержащим кристаллики всех возможных ориентации. Среди кристалликов образца имеются и такие, ориентации которых ( углы хь 5 ( 2, У. [5]
![]() |
Белый ( непрерывный и характеристический ( Ка - и / Ср-линии спектры рентгеновского излучения. [6] |
Изменения ориентации кристалла относительно первичного пучка проще всего достичь, заменив монокристалл поликристаллическим образцом, содержащим кристаллики всех возможных ориентации. [7]
При изменении ориентации кристалла возникает скольжение по разным системам, выбор конкретной системы зависит от фактора Шмидта. Например, скольжение по плоскостям 110 более предпочтительно, чем по 111, хотя различие между ними не очень велико. В то же время критическое скалывающее напряжение по плоскостям 100 почти в два раза больше, чем по двум другим плоскостям. [8]
Сравнительно просто производится уточнение юстировки в дифрактометре, где имеется возможность проследить за изменением интенсивности дифракционного луча при изменении ориентации кристалла ( см. стр. [9]
![]() |
Ориентация магнитного поля, осей электрического поля молекул и осей вращения в монокристалле ацетилацетоната А1 ( Ш. [10] |
Так как g - фактор зависит от угла 9, то можно ожидать, что величина резонансного поля будет изменяться при изменении ориентации кристалла в магнитном поле. [11]
На них и происходит параметрическая генерация. При изменении ориентации кристалла или его температуры или при наложении постоянного электрического поля частоты MI и о2 изменяются. [12]
Авторы использовали предложенный Пейком [134] метод ориентации монокристалла в магнитном поле; в этом случае в спектре имеется дублет. При изменении ориентации кристалла относительно магнитного поля изменяется расстояние между линиями дублета. [13]
Вначале перегруппировка атомов и переориентация дислокаций в структуре происходит быстро, пока не достигается точка, в которой переориентация оказывается максимальной для данной нагрузки. В дальнейшем любое изменение в металле, которое сопровождается изменением ориентации кристаллов, требует подвода гараздо больших количеств энергии; иными словами, при постоянной нагрузке скорость изменения структуры резко падает. Решетка, после того как она достигла этого квазиравновесного состояния, будет ползти с постоянной скоростью в течение длительного промежутка времени, пока не достигается точка, в которой соединение готово к разрушению. Далее соединение быстро теряет свою прочность. [14]
Возможно, более ярко роль прочности преграды в высокоскоростном кратерообразовании проявляется при ударе снарядами по монокристаллам. Типичная пара кратеров, наблюдаемых в медных монокристаллах, изображена на фиг. При изменении ориентации кристалла по отношению к поверхности, воспринимающей удар, соответственно изменяется и форма кратера. [15]