Изменение - параметр - полупроводниковый прибор
Cтраница 1
 |
Изменение интенсивности. [1] |
Изменения параметров полупроводниковых приборов под влиянием облучения могут иметь временный и постоянный характер. Временные изменения обусловлены ионизацией материала, вследствие чего появляется избыточное число носителей, изменяется скорость поверхностной и отчасти объемной рекомбинации, увеличиваются собственные шумы. Постоянные изменения вызываются превращениями и перемещениями атомов кристаллической решетки под влиянием облучения. [2]
ГОСТы на методы изменения параметров полупроводниковых приборов. [3]
Параметрические стабилизаторы осуществляют стабилизацию напряжения за счет изменения параметров полупроводниковых приборов: стабилитронов, стаби-сторов, транзисторов и др. Изменяемым параметром полупроводниковых стабилизаторов напряжения является их сопротивление или проводимость. [4]
Причинами возникновения дрейфа могут быть нестабильность источников питания усилителей и в особенности изменение параметров полупроводниковых приборов и других элементов схемы в результате изменения температуры или старения элементов. Например, в схеме рис. 2.9, а при увеличении ЭДС источника питания Ещ это изменение ДЕ через делитель RiR2 будет передано на базу транзистора, вызовет увеличение базового тока и снижение потенциала коллектора. [5]
Причинами возникновения дрейфа могут быть нестабильность источников питания усилителей и в особенности изменение параметров полупроводниковых приборов и других элементов схемы в результате изменения температуры или старения элементов. R R2 будет передано на базу транзистора, вызовет увеличение базового тока и снижение потенциала коллектора. Поскольку в схеме с ОЭ / Си1, это изменение Д к может быть значительно больше, чем АЕ. [6]
Однако те же самые приборы, используемые в схемах неустойчивых, критичных к изменениям параметров полупроводниковых приборов, могут показывать значительно худшие результаты-10 - - 5 и даже 10 - отказов в час. Особенно сильное снижение эксплуатационной надежности наблюдается в тех случаях, когда из-за ограниченных габаритов неоправданно упрощаются схемы, уплотняется монтаж и полупроводниковые приборы попадают в мощные тепловые потоки. Существенные ошибки совершают некоторые конструкторы и при расчете и проектировании теплоотводящих устройств. [7]
В сильной степени может влиять отбор и на надежность работы аппаратуры. В ряде случаев изменение параметров полупроводникового прибора может лежать в пределах, предусмотренных техническими условиями, но выходить в то же время за произвольно выбранные конструктором аппаратуры пределы. В этом случае аппаратура теряет работоспособность, несмотря на то, что все полупроводниковые приборы сохраняют свои параметры в. [8]
При создании высоконадежных схем необходимо стремиться обеспечить их работоспособность в еще более широком интервале. Чем больший диапазон изменений параметров полупроводниковых приборов допускает данная схема, тем выше будет ее надежность. [9]
На практике К определяется процентным числом отказов на 1000 часов работы. Под отказом обычно понимают такое изменение параметров полупроводникового прибора, которое приводит к нарушению нормальной работы схемы. [10]
 |
Вольтамперные характеристики плоскостного и точечного диодов. [11] |
В предыдущей главе мы упоминали о том, что свойства р-п перехода в местах его выхода на поверхность сильно зависят от состояния поверхности. Повышенная влажность, кислородная атмосфера и запыленность могут значительно изменить время жизни, скорость рекомбинации и толщину слоя объемного заряда р-п перехода у поверхности, а это приводит к изменению параметров полупроводниковых приборов. [12]
Ориентировочные интервалы изменения основных параметров диодов и транзисторов, которые следует учитывать при расчете схем, можно принять из табл. 1 - 2 соответствующими III категории норм. Правильно сконструированная схема должна оставаться работоспособной при изменении параметров в указанном диапазоне. Чем больший диапазон изменений параметров полупроводниковых приборов допускает данная схема, тем выше будет ее надежность. [13]
Со времени появления транзисторов ( около десяти лет) достигнуты значительные успехи в усовершенствовании как самих приборов, так и цепей, в которых они используются. Эти успехи особенно очевидны в схемах, где необходимо усиление сигналов прстоянного тока. Однако практические трудности ( большие значения тока насыщения и канальный эффект) делают почти невозможным расчет таких цепей. Повышение компактности, очистка от вредных примесей, а в дальнейшем и создание кремниевых диодов и триодов устранили изменения параметров полупроводниковых приборов, обусловленные их прежним несовершенством, сохранив лишь те, которые успешно учитываются при соответствующем расчете схемы. [14]
Страницы: 1