Изменение - параметр - решетка
Cтраница 4
Образование любого типа твердых растворов сопровождается изменением параметров решетки металла-растворителя. Это является важным моментом, определяющим изменение свойств твердого раствора. [46]
В работе / 167 было предложено относить изменения параметров решетки также за счет внедренных атомов. [47]
 |
Диаграмма состояния системы MgO - Ga203 в субсолидусной области. [48] |
С увеличением содержания Ga O3 в шпинели изменение параметра решетки становится все менее заметным. [49]
Образование твердого раствора водорода в железе вызывает изменение параметров решетки железа и его структуры ( см. гл. [50]
Захват примесей при генезисе катализаторов имеет тенденцию вызвать изменение параметров решетки и активности таким образом, что образуется соответствующая геометрическая структура, например твердый раствор, обладающая такими протяженностью и топографией, какие необходимы для контакта катализатора с реагентами и для активации реагентов. [51]
 |
Изменение пересыщения с температурой по длине зоны кристаллизации.| Зависимость высоты топографического дефекта пленки CdTe от скорости роста. [52] |
Основной причиной уширения кривой, по-видимому, является изменение параметра решетки CdTe в плоскости срастания вследствие напряжений, возникающих, возможно, как при росте из-за несоответствия в параметрах решеток теллурида кадмия и подложки, так и при охлаждении в связи с различием в значениях их коэффициентов линейного расширения. [53]
Данные термического анализа, а также затухающий характер изменения параметра решетки указывают - на то что за определенное время спекания устанавливается стационарный ре-жим диффузии и в поверхностном слое кристаллика алюминия образуется твердый раствор, состав которого остается неизменным. [54]
 |
Рентгенограмма осадка электролитического железа, отожженного. [55] |
Таким образом, мы видим, что зависимость изменения параметров решетки электролитического железа от температуры является непрерывной функцией, в то время как изменения физических свойств и кинетика удаления водорода происходят скачкообразно. [56]
 |
Кривые спектрального состава излучения сульфида цинка, активированного цинком, серебром, золотом, медью и марганцем. [57] |
Широкое изменение в положении полосы излучения, вызванное изменением параметров решетки, свидетельствует об участии энергетического спектра кристалла в процессе люминесцентного излучения. [58]
Образование твердого раствора одного вещества в другом сопровождается изменением параметров решетки, а следовательно, и смещением линий на рентгенограмме, особенно линий с большими углами отражения. [59]
Менее прямой метод оценки поверхностного натяжения основан на изменении параметров решетки малых кристаллов. Полученные этим методом данные [27] для окиси магния и хлорида натрия уже рассматривались в разд. Следует отметить, что эти данные относятся к неравновесному поверхностному напряжению, а не к поверхностному натяжению. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5