Cтраница 1
Изменение параметров схемы или ламп со временем может также вызвать асимметрию обоих плеч. Предположим, например, что крутизна ламп уменьшилась в два раза. [1]
Допустимая область изменения параметров схемы определяется системой неравенств, соответствующих ограничениям, накладываемым условиями задачи на величину коэффициента стоячей волны и вносимых потерь. [2]
При некотором изменении параметров схемы искрового разряда высокого напряжения последний можно перевести в дуговой разряд. Так как дуговой разряд обладает падающей вольт-амперной характеристикой и протекает при напряжении 40 - 60 в, то в высоковольтную цепь должно быть включено балластное сопротивление, на котором гасится остальное напряжение. [3]
Рассмотрим влияние на погрешность изменения параметров схемы. [4]
В табл. 6.2 приводится диапазон изменения параметров схемы замещения и конструктивных коэффициентов современных неуправляемых АД отечественного производства. [5]
![]() |
Нормированные переходные характеристики в области малых времен разнополосной пары каскадов с параллельной высокочастотной коррекцией, со - ( 9 28 ответствующей условию. [6] |
Изменение характеристик разнополосной тройки при изменении параметров схемы больше, чем у разнополосной пары, и настройка ее сложнее; расчет разнополосной тройки аналогичен расчету разнополосной пары. [7]
Газоанализатор СФ 4101 при некоторых изменениях параметров схемы может быть использован для определения содержания азота в аргоне в пределах от 0 до 0 1 об. % и азота в гелии в пределах от 0 до 0 05 об. 96, а также для решения ряда задач аналитического контроля. [8]
![]() |
Нормированные переходные характеристики в области малых времен разнополосной пары каскадов с параллельной высокочастотной коррекцией, соответствующей условию. [9] |
Изменение характеристик разнополосной тройки при изменении параметров схемы больше, чем у разнополосной пары, и настройка ее сложнее; расчет разнополосной тройки аналогичен расчету разнополосной пары. [10]
Дополнительные температурные погрешности возникают за счет изменения параметров схемы вольтметров от изменения температуры. Особенно значительны они могут быть в схемах с полупроводниковыми диодами и транзисторами. [11]
Из (3.17) и (3.18) следует, что изменение параметра схемы - результат суммарного влияния погрешностей всех параметров элементов. При этом влияние параметра определяется величиной частной производной, дисперсией и корреляционным моментом. [12]
В первом случае корректирующий сигнал вызывает такое изменение параметров схемы СИ, при котором реальная функция преобразования СИ приближается к номинальной характеристике преобразования. [13]
Общие соображения относительно влияния на длительность импульса изменений параметров схемы могут быть получены на основании рассмотрения формул длительности импульса с применением использованной выше методики. [14]
Однако в процессе работы каскада могут произойти такие изменения параметров схемы, что неравенство (3.67) нарушится. Поэтому всегда следует иметь некоторый запас устойчивости, гарантирующий выполнение этого неравенства. [15]