Радиационная стойкость

Cтраница 2

Радиационная стойкость проверяется путем облучения ТЭЗ у-луча-ми или потоком нейтронов. Характеристики проникающей радиации в зоне облучения ТЭЗ должны соответствовать значениям, оговоренным в ТУ. [16]

Радиационная стойкость окислов азота. [17]

Радиационная стойкость - характеристика, позволяющая оценить стойкость радиоматериалов к воздействиям фоновых ( ионизирующих) излучений: a, f и у - лучей, потоков нейтронов и др. Фоновые излучения вызывают структурные изменения в диэлектриках органического и неорганического происхождения, а также в полупроводниках и даже в проводниках. Результатом этого является изменение первоначальных свойств и характеристик материала. Особенно сильное воздействие фоновое излучение оказывает на органические диэлектрики, вызывая их разрушение. Однако при небольших дозах облучения у некоторых органических диэлектриков ( полиэтилен, полипропилен) улучшается их структура и основные характеристики. [18]

Механические свойства облученного поливинилхлорида Джион ( Geon. [19]

Радиационная стойкость поливинилхлорида зависит от толщины образца. [20]

Радиационная стойкость конденсаторов зависит от применяемых материалов и технологии изготовления. Как показывает практика, органические диэлектрики почти на порядок более чувствительны к радиоактивным излучениям, чем неорганические. [21]

Радиационная стойкость полисилокеанов ( силиконов), по-видимому, зависит от молекулярного веса полимера и от природы замещающих углеводородных групп. Высокомолекулярные полисилоксаны склонны к гелеобразованию при облучении, что, по-видимому, является следствием образования относительно небольшого числа поперечных связей. Метилхлорфенилполисилоксан ( GE 81406) обладает низкой радиационной стойкостью, и помимо гелеобра-зования происходит его разложение с выделении хлористого водорода. [22]

Радиационная стойкость ПТФЭ невелика. При небольшой дозе излучения происходит небольшое упрочнение образцов, которое сменяется снижением прочности по мере увеличения дозы излучения. При этом происходит глубокий распад ПТФЭ, сопровождающийся падением молекулярной массы и возрастанием плотности ( табл. II. При дозах около 10 МДж / кг ( 1000 Мрад) полимер рассыпается в порошок, выделяются газообразные продукты. [23]

Радиационная стойкость транзисторов к непрерывному ИИ в существенной мере зависит от технологии их изготовления, конструкции и частотных свойств. [24]

Радиационная стойкость носителей в условиях колоночной хроматографии специально не изучалась. [25]

Радиационная стойкость СПС, структурно-химические процессы в них протекающие, по нашему мнению, непосредственно связаны с описанными в гл. [26]

Радиационная стойкость клея в значительной степени определяется природой его полимерной основы, а также видом и содержанием в рецептуре клея других компонентов. Однако многокомпонентный состав клеев затрудняет априорную оценку их радиационной стойкости по данным о поведении в условиях облучения полимеров, являющихся основой клея. [27]

Радиационная стойкость ПХД значительно меньше, чем дифенилов. При облучении ПХД заметно возрастает их вязкость; наблюдается выделение хлора и хлористого водорода. При радполизе гексахлорбутадиена ( ГХБД) под действием у-лучей происходит в основном образование олпгомеров, молекулярный хлор при этом не образуется. [28]

Радиационная стойкость сухопленочных смазок, в которых в качестве связывающего вещества используются смолы, очевидно, ограничивается стойкостью смол. Однако в отличие от аналогичной ситуации при использовании жидких или консистентных смазок можно примириться с сильной деструкцией смолы под действием излучения, если это не оказывает вредного влияния на когезию и адгезию смол. Фактически в связи с тем, что излучение во многих полимерных системах вызывает сшивание, облучение умеренными дозами может дать даже полезный эффект. [30]

Страницы: 1 2 3 4