Столб - плазма
Cтраница 2
В целях уменьшения влияния кольцевого потока воды, создаваемого вокруг столба плазмы, на завихрение газа сопло-насадка на нижнем срезе выполнено в виде цилиндра. Такая конструкция сопла исключает пересечение струй воды кольцевого потока со столбом плазменной дуги. [16]
Схема плазменно-наполненной ЛБВ с цепочкой связанных резонаторов ( ЦСР) представлена на рис. 4.15. Столб плазмы 1 с высокой плотностью занимает пролетный канал электронного потока. [18]
Исследуем замедляющую электродинамическую структуру радиуса Д, внутри которой соосно с замедляющей системой располагается столб плазмы радиуса а. Поле замедленной волны в электродинамической структуре сосредоточено около ее поверхности. [19]
Кроме того, как отмечают авторы [19], нередко целесообразным бывает наклонное микроволновое зондирование столба плазмы, позволяющее повысить точность восстановления 2D распределения электронной плотности плазмы. Тогда, если столб обладает осевой симметрией, эллиптические изолинии появляются автоматически. [20]
После того как вся поверхность катода покрыта разрядом, дальнейшее увеличение тока приводит к сильному росту неоднородности столба плазмы и появлению внутри нее значительных градиентов потенциала. При еще больших силах тока разряд переходит в дуговую стадию. В спектроскопии обычно работают при умеренных силах тока в нормальном режиме разряда, который характеризуется низким градиентом потенциала в области отрицательного свечения. Благодаря этому удается избежать уширения линий электростатическим полем катода. Предельная величина силы тока, при которой разряд начинает переходить в аномальный, зависит от размеров катода и его формы, давления и сорта наполняющего газа и ряда других факторов. [21]
Для проверки теории устойчивости Шафранова, лежащей в основе удержания плазмы в тороидальных установках, были продолжены опыты по стабилизации столба плазмы с током внешним продольным магнитным полем в прямых электродных разрядах. Систематические исследования К.А. Разумовой к 1957 г. убедительно показали, в соответствии с теорией Шафранова, что гидромагнитную неустойчивость столба разряда можно снять внешним магнитным полем. [22]
 |
Схема образования электронной лавины и положительного стримера. [23] |
Головка канала плазмы, направленная от анода к катоду, имеет избыточный положительный заряд, кото-рый перемещается к катоду, оставляя за собой столб плазмы. В результате, в направлении от анода к катоду продвигается так называемый стример - самораспространяющийся положительный объемный заряд, превращающийся в плазму вследствие проникновения в канал фотоэлектронов. Скорость продвижения стримера достигает 1 3 108 см / сек. [24]
Так как отрицательные электроны гораздо подвижнее, чем положительные ионы, то при приложении поля электроны уходят на положительный электрод ( анод) и столб плазмы между электродами заряжается положительно. После этого для протекания тока нужно, чтобы отрицательный электрод ( катод) испускал в плазму электроны. Испускание электронов твердым телом называют эмиссией. Такой разряд, поддерживаемый внешними средствами, носит название несамостоятельного. Если напряжение между электродами достаточно велико, то сам разряд без всяких вспомогательных средств обеспечивает электронную эмиссию с катода. Этот вид разряда называют самостоятельным. Механизм эмиссии в нем может быть различным. В плотном газе при очень высоких напряжениях катод просто разогревается ударяющимися о него газовыми ионами. В этом случае эмиссия термическая, как и в несамостоятельном разряде с горячим катодом. В разреженном газе при не очень высоких напряжениях возможны различные формы холодного, или тлеющего, разряда. [25]
Таким образом, пучок электронов с энергией около 100 кэВ и плотностью тока 10 кА / см2 может создать в воздухе за время порядка 10 - 8 с столб плазмы длиной около 30 см и плотностью порядка я-1015 см-3, нагревая воздух не более чем на 200 - 300 К. [26]
Положив электропроводность ( 11 - Г) - плазмы равной 1000 Ом 1 - м 1 ( при давлении 0 1 атм это соответствует температуре - 5000 К), находим 6 15 9 / / 7 - При этом R / 8 1 77, так что R 28 1 / V7 - Отсюда можно определить радиус столба плазмы в зависимости от частоты источника электропитания. [28]
Положив электропроводность ( и - Р) - плазмы равной 1000 Ом-1 - м - 1 ( при давлении 0 1 атм это соответствует температуре - 5000 К), находим 6 15 9 / / 7 - При этом R / 6 1 77, так что R 28 1 / / 7 - Отсюда можно определить радиус столба плазмы в зависимости от частоты источника электропитания. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5