Изменение - подвижность - электрон - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Никому не поставить нас на колени! Мы лежали, и будем лежать! Законы Мерфи (еще...)

Изменение - подвижность - электрон

Cтраница 1


1 Зависимость сечения столкновения от скорости электронов для аргона, криптона и ксенона. [1]

Изменение подвижности электронов при постоянной напряженности поля приводит к изменению концентрации электронов.  [2]

Рассмотрим изменение подвижности электронов под действием внешнего тюля с количественной стороны.  [3]

Дц - изменение подвижности электрона проводимости, обусловленное поглощением фотона. Фотопроводимость, определяемую выражением (7.3.14), называют подвижно-стной. В отличие от нее фотопроводимость, связанную с изменением концентрации носителей, называют концентрационной. Подвижностная фотопроводимость используется в специальных приемниках инфракрасного излучения.  [4]

Магнитное упорядочение приводит к изменению подвижности электронов проводимости.  [5]

На величину поверхностной электропроводности влияет изменение подвижности электронов и дырок в области пространственного заряда. При столкновении с поверхностью носители заряда испытывают рассеяние, степень которого зависит от величины электростатического потенциала на поверхности и выражается в изменении скорости движения носителей заряда. Изменение дрейфовой скорости носителей ведет к изменению их подвижности. Величина подвижности в области пространственного заряда зависит от механизма рассеяния носителей заряда поверхностью - зеркального или диффузионного. При слабом взаимодействии наблюдается зеркальное рассеяние: после отражения носителя от поверхности величина его скорости не меняется, но направление вектора скорости изменяется на противоположное.  [6]

Анализ зависимостей показывает, что сигнал детектора при малых напряжениях питания обусловлен изменением подвижности электронов.  [7]

В полупроводниках с двумя знаками носителей тока наряду с обычным увеличением сопротивления в магнитном поле, связанным с изменением подвижности электронов или дырок, наблюдается эффект, вызванный изменением концентрации носителей. Магниторезистор, основанный на использовании этого эффекта, позволяет измерять магнитные поля с индукцией от 10 - 3 до 0 5 тл при линейной зависимости измеряемого электрического напряжения от величины индукции магнитного поля.  [8]

Поэтому концентрация электронов проводимости в металле почти пе зависит от температуры, и зависимость электрической проводимости металла от температуры обусловлена изменением подвижности электронов. Средняя длина свободного пробега электрона уменьшается при повышении температуры вследствие увеличения амплитуды тепловых колебаний решетки, а также при наличии дефектов и примесей, нарушающих упорядоченность кристаллической решетки. С уменьшением длины свободного пробега снижается подвижность носителей заряда, поэтому с увеличением температуры электрическая проводимость металлов падает.  [9]

Аналогичный метод детектирования, но без этого недостатка, может быть создан на основе метода детектирования по подвижности электронов в режиме тока проводимости. Изменение подвижности электронов в этом случае фиксируется реакцией детектора на элек-троноакцепторный газ-свидетель. Физические основы метода заключаются в следующем.  [10]

Исследованы условия получения стабильного коронного разряда в детекторе для определения низкокипящих газов и углеводородов. Показано, что основным механизмом процесса детектирования является изменение подвижности электронов с изменением конц-ции примесей. Изучена зависимость высоты пиков О2 от величины фонового тока, диаметра внутреннего электрода и отношения диаметров электродов.  [11]

12 Изменение подвижности. [12]

В связи с тем, что толщина корочки небольшая, возможно ее растрескивание, и наряду с реакцией взаимодействия арсенида галлия с хлористым водородом может проходить реакция между хлористым водородом и жидким галлием, находящимся под корочкой. Различие констант равновесия этих реакций приводит к обогащению газовой фазы галлием и в результате к невоспроизводимости получаемых слоев по параметрам. Так, изменение подвижности электронов ( рис. 3) в партии эпитак-сиальных слоев арсенида галлия, полученных из одного источника, можно объяснить процессами, связанными с изменением толщины корочки арсенида галлия в течение времени его использования.  [13]

Природа процессов, происходящих при деформации тонких проволок, изучена мало. Известно [35], что при деформации металлов и сплавов в упругой зоне происходит изменение межатомных расстояний, что приводит к изменению силы взаимодействия между атомами. Амплитуды тепловых колебаний атомов в кристаллической решетке также изменяются, что приводит к изменению среднего времени свободного пробега и соответственно к изменению подвижности электрона, являющегося носителем тока в металлах и сплавах.  [14]

15 Функция распределения Ферми. [15]



Страницы:      1    2