Столкновение - свободный электрон
Cтраница 1
Столкновения свободных электронов в проводниках с атомами кристаллической решетки тормозят их поступательное ( дрейфовое) движение. Аналогичен механизм сопротивления постоянному току в электролитах и газах. [1]
Столкновения свободных электронов в проводниках с атомами кристаллической решетки тормозят их поступательное ( дрейфовое) движение. Частота таких столкновений зависит от структуры и свойств материала. Аналогично можно пояснить возникновение механизма сопротивления постоянному току в электролитах и газах. [2]
Столкновения свободных электронов в проводниках с атомами кристаллической решгтки тормозят их поступательное ( дрейфовое) движение. Аналогичен механизм сопротивления постоянному току в электролитах и газах. [3]
Время релаксации TO обусловлено столкновениями свободных электронов друг с другом, с фононами, а также с примесями и дефектами решетки. [4]
Сопротивление металлических проводников обусловлено столкновением свободных электронов с ионами кристаллической решетки. Свободные электроны в проводнике совершают хаотическое движение подобно молекулам идеального газа. При включении электрического поля на хаотическое движение электронов накладывается направленное движение - так называемый дрейф электронов в направлении, противоположном вектору напряженности поля. В процессе дрейфа электроны сталкиваются с встречающимися на их пути ионами кристаллической решетки. [5]
Для увеличения энергии электрона необходимы столкновения свободного электрона с атомами газа. [6]
Рекомбинация не является простым актом столкновения свободного электрона и свободной дырки - этот процесс более сложен и часто бывает многоступенчатым. Главную роль в процессе рекомбинации играют особые центры рекомбинации - ловушки, обладающие локальными энергетическими уровнями в запрещенной зоне, способными захватить электрон из зоны проводимости и дырку из валентной зоны, осуществляя их рекомбинацию. Такими ловушками являются дефекты кристаллической решетки полупроводника, которые могут быть расположены и на поверхности кристалла. [7]
При протекании тока в проводнике происходит столкновение свободных электронов с атомами, ионами или молекулами вещества. [8]
Процесс образования носителей зарядов в результате столкновения свободных электронов с атомами газа называется ионизацией соударением или ударной ионизацией. В результате соударения свободные электроны могут выбить электроны из нейтральных молекул ( атомов) или присоединиться к ним. В первом случае образуются ионы, положительно заряженные, во втором - отрицательно заряженные. С увеличением приложенного напряжения скорости движения носителей зарядов возрастают. [9]
При повышении температуры проводника увеличивается число столкновений свободных электронов с атомами. Следовательно, уменьшается средняя скорость направленного движения электронов, что соответствует увеличению сопротивления проводника. [10]
 |
Температурные коэффициенты сопротивления. [11] |
Увеличение частоты колебаний атомов приводит к более частым столкновениям свободных электронов со связанными, а следовательно, и к увеличению сопротивления проводника. Уменьшение частоты колебаний атомов приводит к обратным результатам. [12]
 |
Дуговая электросварка по способу Славянова. [13] |
Ионизация газового промежутка между электродами возникает в результате столкновений свободных электронов, движущихся под действием электрического поля с отрицательного полюса ( катода) к положительному полюсу ( аноду) с нейтральными атомами газа. Движущиеся электроны выбивают из атомов газа их электроны, и они становятся положительно заряженными частицами - ионами, которые устремляются под действием электрического поля к катоду. [14]
Поскольку сопротивление, оказываемое току металлическим проводником, обусловлено столкновением свободных электронов с ионами металла, можно предполагать, что это сопротивление должно зависеть от формы, размеров и вещества проводника. [15]
Страницы: 1 2 3