Стор
Cтраница 4
Но гигантское развитие прогресса науки и техники требует особенно углубленного исследования и решения качественных сторов проблемы высокоэффективного народнохозяйственного использования различных ресурсов энергии и в частности нефти и газа. [46]
В структурах типа ЗД могут быть реализованы следующие компоненты ИМС: горизонтальный р-л-р-транзи - стор, ПТШ с горизонтальным каналом, резисторы в п - слое, резисторы в р-слое, резисторы в n - слое. Такие структуры используют для реализации элементов на эмиттерных повторителях СБИС. Изоляция отдельных компонентов в подобных структурах достигается за счет смещения в обратном направлении изолирующего р-п-перехода между изолирующей областью и подложкой. Для этого подложка подключена к самому низкому потенциалу схемы. [47]
 |
Приспособление для формования выводов микросхемы.| Способ демонтажа микросхемы. [48] |
РГН, от панелей пальчиковых ламп, транзи - м Росхемы1лаТЫ ПереХ ДНИКИ ДЛ сторов, так и самодельные из гартованной латуни или бронзы. [49]
В пассивном состоянии уровни напряжения по постоянному току рассчитываются исходя из требуемых значений согласующих рези сторов, без учета параметров нагрузок. [50]
Хр / см. § 12 - 21; с-2 определяется по § 4 - 5 ( стор. [51]
Старшеклассникам нужно было найти оптимальный алгоритм, с помощью которого можно начертить на экране многоугольник, стор. [52]
В промежутке времени t tti увеличиваются прямые токи электродов входного транзистора, а выходной транэи - стор по-прежнему закрыт. Вследствие повышения коллекторного и эмиттерного тока несколько увеличиваются напряжения t / Ki и У б2, а напряжение на эмиттерах транзисторов U a понижается. Уменьшается и напряжение на базе транзистора Т за счет понижения входного напряжения триггера. U BZ повышается настолько, что выходной транзистор открывается. Поскольку теперь открыты оба транзистора, в схеме начинается лавинообразный процесс, в результате которого - оба транзистора полностью открываются и переходят в насыщенное состояние. Скачкообразно повышается эмиттерное напряжение, а следовательно, резко увеличиваются базовые напряжения обоих транзисторов и коллекторное напряжение TI и уменьшается коллекторное напряжение выходного транзистора. [53]
 |
Эквивалентная схема к расчету процессов включения и отключения запираемого тиристора. [54] |
Учитывая факторы, влияющие на эффективность запирания, реальный режим работы триггера и параметры запираемого тири стора, можно рассчитать необходимые величины С и R, обеспечивающие устойчивую работу триггера. [55]
На эпюрах положительные значения N, М и Q условимся откладывать перпендикулярно к геометрической оси бруса в стор ону от центра его кривизны, а отрицательные значения - к центру его кривизны. Для брусьев, состоящих из криволинейных и прямолинейных участков, положительные и отрицательные эпюры на прямолинейных участках лучше располагать в те же стороны от геометрической оси, что и на криволинейных участках. [56]
Электрическое сопротивление контакта щеток зависит от материала щеток, плотности тока под щетками, окружной скорости кол-ле стора и давления на щетки. [57]
Саштарна охорона водоймищ i очистка промислових спчних вод, Вид-во АН УРСР, К -, 1959, стор. [58]
Форматы, большие а и а1 образуются путем увеличения этого формата на полосу, кратную 1 8 удлиняемой стор ны. [59]
В кн.: Пдрох1м1чний та бюлопчний режим Пониззя Дншра шсля спорудження Каховського водоймшца, Вид-во АН УРСР, К -, 1963, стор. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5