Изменение - положение - уровень
Cтраница 2
Согласно формулам (3.51) - (3.52) при изменении положения уровня Ферми по отношению к границам запрещенной зоны электроны перераспределяются по уровням, и могут измениться свойства полупроводника. [16]
 |
Изменение положения уровня Ферми ( а и времени жизни неравновесных носителей - с ( б в зависимости от концентрации основных носителей заряда в полупроводнике. [17] |
На рис. 2.8, а схематически показано изменение положения уровня Ферми F в зависимости от изменения концентрации основных носителей заряда. [18]
На рис. 6.2 а - г показано изменение положения уровня Ферми для дырок по мере увеличения их концентрации в валентной зоне. [19]
Изменение давл ния вызывает сжимаемость воздуха и изменение положения уровня жидкости в колпаках с газожидкостным контактом. [20]
 |
Установка для измерения уровня сточной жидкости.| Поплавковое реле типа РМ-51. [21] |
Регулирование реле на срабатывание на заданные пределы изменения положения уровня жидкости производится перестановкой упорных втулок на тросе и подбором длины самого троса. [22]
 |
Установка для измерения уровня сточной жидкости.| Поплавковое реле типа РМ-51.| Электродный сигнализатор уровня конструкции ГПИ Мо. сводоканалпройкт. [23] |
Регулирование реле на срабатывание на заданные пределы изменения положения уровня жидкости производится перестановкой упорных втулок на тросе и под-бором длины самого троса. [24]
Из приведенного анализа изменения времени жизни с изменением положения уровня Ферми следует важный вывод: при ярко выраженном типе проводимости ( области / и IV) время жизни носителей заряда в полупроводнике определяется неосновными носителями заряда. [25]
Из приведенного анализа изменения времени жизни с изменением положения уровня Ферми следует важный вывод: при ярко выраженном типе проводимости ( области I и IV) время жизни носителей заряда в полупроводнике определяется неосновными носителями заряда. Поэтому для характеристики рекомбинацион-ных процессов в полупроводнике вводится понятие времени жизни неосновных носителей заряда. [26]
Из приведенного анализа изменения времени жизни с изменением положения уровня Ферми следует важный вывод: при ярко выраженном типе проводимости ( области / и IV) время жизни носителей заряда в полупроводнике определяется неосновными носителями заряда. [27]
Согласно Белявскому, количество хемосорбированного кислорода изменяется с изменением положения уровня Ферми в точности так, как это следует из электронной теории. Об этом Белянский будет говорить в своем докладе на Симпозиуме. Как Кейер объясняет расхождение своих данных с данными польских исследователей. [28]
Метод подкачки газа основан на обработке данных об изменении положения уровня в скважине при нагнетании в нее газа. Этот метод используется как в непереливающих, так и в переливающих скважинах, но только в скважинах с герметичными колоннами. Преимуществом его является возможность проводить исследования как при закачке газа, так и при выпуске его из скважины. [29]
 |
Виды индикаторных кривых. [30] |
Страницы: 1 2 3 4